[发明专利]纳米管随机存储器及其形成方法有效
| 申请号： | 201810663559.0 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN110635025B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 张云鹏;黄宇亮;平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种纳米管随机存储器及其形成方法，其中形成方法包括：提供基底，所述基底顶部具有氧化层，氧化层和部分基底内具有第一电极；对第一电极和氧化层顶部进行表面处理，使第一电极和氧化层顶部的粗糙度增加；进行表面处理之后，在氧化层和第一电极顶部形成纳米管材料层。所述方法能够增加纳米管材料层与第一电极和氧化层顶部的结合力。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 随机 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米管随机存储器的形成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底顶部具有氧化层，所述氧化层和部分基底内具有第一电极；/n对第一电极和氧化层顶部进行表面处理，使第一电极和氧化层顶部的粗糙度增加；/n进行表面处理之后，在氧化层和第一电极顶部形成纳米管材料层。/n
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