[发明专利]一种制备纳米硅的装置及方法有效
| 申请号： | 201810652350.4 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108483449B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 刘江平;陈青华;房冰 | 申请（专利权）人： | 兰溪致德新能源材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 321100 浙江省金华市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备纳米硅的装置，包括：反应器；所述反应器顶端设有进料口和返料及尾气出口，底端设有进气口和出料口；出料口与所述反应器的进料口相连的连续加料装置；进料口与所述返料及尾气出口相连的返料及尾气处理装置；设置在所述进气口处的进气及分气装置；进料口与所述反应器的出料口相连的出料装置。与现有技术相比，本发明提供的制备纳米硅的装置由反应器、连续加料装置、返料及尾气处理装置、进气及分气装置和出料装置连接而成，具有产率高、成本低，且可实现连续化、批量化生产的优点，制备得到的纳米硅粒度分布窄且无杂质带入。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备纳米硅的装置，包括：反应器；所述反应器顶端设有进料口和返料及尾气出口，底端设有进气口和出料口；出料口与所述反应器的进料口相连的连续加料装置；进料口与所述返料及尾气出口相连的返料及尾气处理装置；设置在所述进气口处的进气及分气装置；进料口与所述反应器的出料口相连的出料装置。
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- 2022-03-01 - 2023-06-09 - C01B33/021
- 本发明涉及一种硅负极材料及其制备方法和应用，本发明通过对储量大的硅锰合金进行酸处理得到层状高纯度硅材料，可利用其金属的延展性、机械性和导电性等来弥补硅的缺点。使用强酸对硅锰合金处理，与传统的化学气相沉积、模板诱导合成方法相比，处理过程简单、无污染。且与其他合金相比，硅锰合金成本低、储量大、经酸处理后的硅材料更纯，刻蚀后形成的层状材料更加明显。
- 一种高密度的二维硅基纳米材料及其制备方法-202210280440.1
- 孟祥;程江;唐华;李璐;立冈浩一 - 重庆文理学院
- 2020-11-20 - 2023-06-09 - C01B33/021
- 一种高密度的二维硅基纳米材料，包括硅纳米片和硅基板，且硅纳米片垂直于硅基板并形成阵列；硅纳米片之间的间距达到10~100nm，硅纳米片组成的阵列呈现对称形貌，厚度在5~150nm之间；它是按照以下步骤制备而得的：将硅基板预处理后与钙于真空中分段加热反应，后降至室温，再置于氯化锰的乙醇溶液浸泡，然后与氯化锰颗粒分别置于分段加热炉的两端，全程通入氮气，将氯化锰颗粒一端加热至700~830℃，基板一端加热至500~600℃保温反应，反应结束后冷却至室温。本发明纳米材料中硅纳米片不团聚、不垮塌，厚度在5~150nm之间可有效调控，高度达到2μm左右，产率高，形成高密度的硅纳米片阵列。
- 一种硅碳负极材料及其制备方法和应用-202110733384.8
- 韩美胜;于杰;李振伟 - 松山湖材料实验室
- 2021-06-30 - 2023-05-23 - C01B33/021
- 本发明涉及电池技术领域，具体而言，涉及一种硅碳负极材料及其制备方法和应用。本发明的硅碳负极材料的制备方法，包括以下步骤：含硅碳的液体前驱体的气化物与预热后的石墨混合反应，得到氧化亚硅‑碳复合纳米层包覆石墨复合材料，再进行铝热还原反应。本发明的硅碳负极材料的制备方法简单，无需复杂的设备和工艺流程，成本低廉，合成时间短，产率高，可大量制备硅‑碳复合纳米层包覆石墨复合粉体，相比其他方法可有效地降低生产成本。本发明的硅碳负极材料在锂离子电池负极材料应用中具有高容量、良好的循环性能和出色的倍率性能。
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