[发明专利]一种稳定的化合物半导体太阳光分解水产氢电子器件、电极系统及其制备方法有效
| 申请号： | 201810643732.0 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN108922927B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 江丰;王康;黄定旺;喻乐 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 510631 广东省广州市天河区中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种稳定的化合物半导体太阳光分解水产氢电子器件、电极系统及其制备方法。该太阳光分解水产氢电子器件依次包括衬底、背电极、CZTS吸收层、缓冲层、宽带隙半导体保护层以及纳米金属颗粒层，并且采用喷雾热解随后硫化退火的方法制备CZTS吸收层，采用化学水浴沉积法制备缓冲层，采用化学水浴沉积法或原子层沉积法制备宽带隙半导体保护层，其制备方法简单，并且制备出的器件结构，可以利用太阳能，在外加偏压下,即可实现高效、稳定地产生氢气。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定 化合物 半导体 太阳光 分解 水产 电子器件 电极 系统 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种稳定的化合物半导体太阳光分解水产氢电子器件，其特征在于，所述太阳光分解水产氢电子器件依次包括衬底、背电极、CZTS吸收层、缓冲层、宽带隙半导体保护层以及纳米金属颗粒层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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