[发明专利]具有减少的射频损耗的器件封装体在审
| 申请号： | 201810631347.4 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN109103171A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | P·A·布雷格劳滨托雷斯亚马拉尔;E·布洛克斯-纳皮拉尔斯卡;B·戈勒;A·韦斯鲍尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱;李春辉 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本公开涉及具有减少的射频损耗的器件封装体。一种器件封装体包括半导体器件。半导体器件设置在衬底上。器件封装体还包括覆盖物。覆盖物设置在衬底上并且围绕半导体器件。覆盖物包括空隙、第一层和第二层。空隙在覆盖物的内表面与半导体器件之间。第一层具有第一电导率和第一厚度。第二层设置在第一层之下。第二层具有第二电导率和第二厚度。第一电导率大于第二电导率。第一厚度小于第二厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 电导率 半导体器件 器件封装体 覆盖物 第一层 衬底 射频 内表面 | ||
【主权项】：
1.一种器件封装体，包括：半导体器件，所述半导体器件设置在衬底上；以及覆盖物，所述覆盖物设置在所述衬底上并且围绕所述半导体器件，所述覆盖物包括：空隙，所述空隙在所述覆盖物的内表面与所述半导体器件之间，第一层，所述第一层包括第一电导率和第一厚度，以及第二层，所述第二层设置在所述第一层之下，所述第二层包括第二电导率和第二厚度，其中所述第一电导率大于所述第二电导率，以及其中所述第一厚度小于所述第二厚度。
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