[发明专利]一种深槽半导体器件耐压终端及其制造方法

摘要

本发明提供一种深槽半导体器件耐压终端及其制造方法，所述方法包括在带有第一导电杂质的半导体层，采用通用半导体工艺技术，在半导体层内部分区域形成被保护的有源区；通过刻蚀工艺在半导体材料片内形成一个或多个深槽；垂直半导体材料片表面进行第二导电杂质注入，第二导电杂质仅注入到深槽底部中，通过扩散工艺使得在深槽底部向外形成扩散区；对深槽侧壁进行第二导电杂质掺杂，在深槽侧壁向外形成掺杂区，且扩散区横向超出掺杂区相同侧的距离为L1；采用半导体工艺对深槽平整化。利用扩散区和掺杂区结构对高压半导体器件被保护有源区进行适应应用需求的设计，方案具有较好的抗氧化层电荷波动、更容易设计、适应工艺加工等技术特征。

主权项

1.一种深槽半导体器件耐压终端，至少包括半导体材料片，所述半导体材料片包括半导体层和氧化层，所述氧化层位于半导体层的上表面；其特征在于，所述半导体层带有第一导电杂质；在半导体层内形成被保护的有源区；半导体材料片从上表面向下开设有一个或多个深槽，所述深槽的深度与该深槽宽度的比值大于1；所述深槽内表面掺杂有第二导电杂质，掺杂第二导电杂质后在深槽底部向外扩散形成扩散区，以及在深槽侧壁向外扩散形成掺杂区；所述第一导电杂质与第二导电杂质的导电类型相反。