[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201810601974.3 | 申请日： | 2018-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN108807550B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 简廷峰;叶柏良;吴振中;张家铭;张君安 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京市立康律师事务所 11805 | 代理人： | 梁挥;孟超 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括第一基板以设置于第一基板上的薄膜晶体管。薄膜晶体包括栅极、半导体图案、第一绝缘层、源极以及漏极。第一绝缘层设置于栅极与半导体图案之间。源极与漏极彼此分离且各自与半导体图案对应设置。源极与漏极的至少一者具有第一铜图案层与第一氮氧化铜图案层。第一氮氧化铜图案层覆盖第一铜图案层。第一铜图案层设置于第一氮氧化铜图案层与第一基板之间。本发明的半导体装置中，外界水气不易入侵源极与漏极的至少一者的铜图案层，因此本发明的半导体装置的信赖性佳。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包括：一第一基板；以及一薄膜晶体管，设置于该第一基板上，其中该薄膜晶体管包括：一栅极；一半导体图案；一第一绝缘层，设置于该栅极与该半导体图案之间；一源极以及一漏极，彼此分离且各自与该半导体图案对应设置；其中，该源极与该漏极的至少一者具有一第一铜图案层与一第一氮氧化铜图案层，该第一氮氧化铜图案层覆盖该第一铜图案层，且该第一铜图案层设置于该第一氮氧化铜图案层与该第一基板之间。
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