[发明专利]一种二极管突波电压抑制器芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201810594567.4 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN110581178A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 李运鹏;郭小红;陈智伟;黄传传 | 申请（专利权）人： | 江西萨瑞微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 31288 上海宣宜专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘君 |
| 地址： | 330114 江西省南昌*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及突波电压抑制器，特别是一种二极管突波电压抑制器芯片及其制造方法。芯片为NPN结构，N型杂质扩散分布于P型基底正、反两面，N型杂质的电极区域覆盖有电极金属，其它区域覆盖有氧化层，芯片的厚度为170μm‑240μm。二极管突波电压抑制器芯片为双极性或单极性，双极性的正、反面电极区域均覆盖有负电极金属；单极性的正面电极区域覆盖有负电极金属，反面整体为电极区域，并覆盖有正电极金属。本发明的二极管突波电压抑制器芯片，使用电流增益控制较佳的P型原硅片，减薄至一定的厚度。原硅片双面扩散N型掺杂，补扩散控制PN结的深度以进一步控制芯片的负电阻特性，在遇到突波电压时因崩溃电压带负电阻的特性使得元件承受的功率降低，更耐高电流。 | ||
| 搜索关键词： | 突波电压 抑制器 芯片 二极管 负电极金属 电极区域 区域覆盖 单极性 双极性 覆盖 扩散 负电阻特性 崩溃电压 电极金属 电流增益 反面电极 反面整体 功率降低 硅片双面 控制芯片 扩散控制 正面电极 负电阻 高电流 氧化层 正电极 硅片 基底 减薄 金属 制造 | ||
【主权项】：
1.一种二极管突波电压抑制器芯片，所述芯片为NPN结构，N型杂质(308)扩散分布于P型基底(302)正、反两面，所述N型杂质(308)的电极区域(316)覆盖有电极金属，其它区域覆盖有氧化层(314)，其特征在于，所述芯片的厚度为170μm-240μm。/n
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