[发明专利]一种N型隧穿场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201810582456.1 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN108807522B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;李多力;蔡小五;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种N型隧穿场效应晶体管及其制作方法，该晶体管包括：半导体衬底；沟道区，形成于所述半导体衬底上；P型源区，形成于所述半导体衬底上，位于所述沟道区的第一侧，所述P型源区具有P |
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| 搜索关键词： | 一种 型隧穿 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种N型隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；沟道区，形成于所述半导体衬底上；P型源区，形成于所述半导体衬底上，位于所述沟道区的第一侧，所述P型源区具有P+型掺杂；N型漏区，形成于所述半导体衬底上，位于所述沟道区中与所述第一侧相对的第二侧，所述N型漏区具有N+型掺杂；栅极，设置在所述沟道区的第三侧，所述栅极与所述沟道区间设置有栅氧层；隔离区，设置在所述沟道区与所述N型漏区间的漏体结所在区域处，所述隔离区填充有预设隔离氧化物，所述隔离区与所述栅氧层交叠，所述隔离区用于隔离所述N型漏区与所述沟道区间的电子，避免在所述漏体结所在区域处发生隧穿。
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