[发明专利]一种N型隧穿场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201810582456.1 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN108807522B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;李多力;蔡小五;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 型隧穿 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种N型隧穿场效应晶体管，其特征在于，包括：
半导体衬底；
沟道区，形成于所述半导体衬底上；
P型源区，形成于所述半导体衬底上，位于所述沟道区的第一侧，所述P型源区具有P+型掺杂；
N型漏区，形成于所述半导体衬底上，位于所述沟道区中与所述第一侧相对的第二侧，所述N型漏区具有N+型掺杂；
栅极，设置在所述沟道区的第三侧，所述栅极与所述沟道区间设置有栅氧层；
隔离区，设置在所述沟道区与所述N型漏区间的漏体结所在区域处，所述隔离区填充有预设隔离氧化物，所述隔离区与所述栅氧层交叠并相连，所述隔离区的面积小于漏体结所在区域的面积，所述隔离区用于隔离所述N型漏区与所述沟道区间的电子，避免在所述漏体结所在区域处发生隧穿。
2.如权利要求1所述的N型隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述预设隔离氧化物包括二氧化硅和/或氧化铝。
3.如权利要求1所述的N型隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述沟道区具有N-型掺杂或P-型掺杂，掺杂的浓度范围为e15/cm3～e17/cm3。
4.如权利要求1所述的N型隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述P型源区的P+型掺杂的浓度范围为e19/cm3～e21/cm3。
5.如权利要求1所述的N型隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述N型漏区的N+型掺杂的浓度范围为e19/cm3～e21/cm3。
6.如权利要求1所述的N型隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述栅氧层的厚度范围为1nm～10nm。
7.如权利要求1所述的N型隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述沟道区的长度范围为10nm～10um。
8.如权利要求1所述的N型隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述半导体衬底的材质包括体硅、体锗、绝缘体上硅、绝缘体上锗中任意一种或多种组合。
9.一种N型隧穿场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上形成沟道区、隔离区、P型源区、N型漏区，其中，所述隔离区中填充有预设隔离氧化物，所述P型源区具有P+型掺杂，所述N型漏区具有N+型掺杂，所述隔离区设置在所述沟道区与所述N型漏区间的漏体结所在区域处，用于隔离所述N型漏区与所述沟道区间的电子，避免在所述漏体结所在区域处发生隧穿；
在所述沟道区上依次形成栅氧层和栅极，所述隔离区与所述栅氧层交叠并相连，所述隔离区的面积小于漏体结所在区域的面积。
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