[发明专利]基片液处理装置、处理液供给方法和存储介质在审
申请号: | 201810551247.0 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN108987309A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 福田孝佑;中岛干雄;筱原和义;东博之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及基片液处理装置、处理液供给方法和存储介质。当使用低表面张力的处理液时,防止来自喷嘴的处理液供给停止后的液体下落,定量地控制开闭阀关闭期间的处理液流量,并且减小处理液的消耗量。控制部(4)在从将处理液以第一流量从喷嘴(40)向基片(W)供给的状态起停止供给来自喷嘴的处理液时,使开闭阀(716)从打开状态转变为关闭状态,并且进行将比第一流量小的第二流量作为流量目标值给予流量控制机构(715)的停止控制,最晚至开闭阀开始从打开状态向关闭状态转变之前。 | ||
搜索关键词: | 处理液 处理液供给 喷嘴 开闭阀 液处理装置 存储介质 流量控制机构 处理液流量 关闭期间 停止供给 停止控制 状态转变 消耗量 减小 | ||
【主权项】:
1.一种基片液处理装置,其特征在于,包括:保持基片的基片保持部;对由所述基片保持部保持的所述基片供给处理液的喷嘴;一端与喷嘴连接,另一端与处理液供给源连接的供给线路;具有设置于所述供给线路的流量计和流量控制阀的流量控制机构;设置于所述供给线路的开闭阀;和控制所述流量控制机构和所述开闭阀的动作的控制部,所述流量控制机构能够调节流量控制阀,以使得所述流量计的检测值与所述控制部给予的流量目标值一致,所述控制部使所述开闭阀成为打开状态,从所述喷嘴向所述基片供给所述处理液,并且将第一流量作为所述流量目标值给予所述流量控制机构,所述控制部,在要使所述开闭阀从打开状态转变为关闭状态,从将所述处理液从所述喷嘴向所述基片供给的状态起停止供给所述处理液时,进行将比所述第一流量小的第二流量作为所述流量目标值给予所述流量控制机构的停止控制,直到所述开闭阀开始从打开状态向关闭状态转变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造