[发明专利]一种芯片及器件设计的联合仿真方法和系统在审
| 申请号： | 201810547519.X | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108897916A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 陈中圆;李金元;温家良;潘艳;孙帅;张立敏 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国网山西省电力公司晋城供电公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种芯片及器件设计的联合仿真方法和系统，包括根据元胞参数和半导体层级设计图，建立多下级单位并联等效电路模型；根据多下级单位并联等效电路模型，进行半导体层级内下级单位并联的电压、电流、热和力的耦合仿真，得到半导体层级内电压、电流、热和力场分布；将耦合仿真得到的下级单位电流和电压输入电磁场仿真模块，进行仿真得到半导体层级内电磁场分布。与现有技术相比，涵盖从功率开关器件的半导体工艺设计和封装设计等环节领域，保证在硅设计的初期，就可以将功率半导体器件的电压、电流、热、电磁和力场等特征提取出来，建立芯片、器件联合仿真模型，反复优化各层级设计参数，实现芯片与器件整体性能最优，提高器件研发效率。 | ||
| 搜索关键词： | 层级 半导体 联合仿真 芯片 下级 并联等效电路 器件设计 耦合仿真 力场 功率半导体器件 功率开关器件 半导体工艺 电磁场仿真 电磁场分布 单位电流 电压输入 封装设计 设计参数 特征提取 内电压 设计图 并联 研发 元胞 涵盖 环节 优化 保证 | ||
【主权项】：
1.一种芯片及器件设计的联合仿真方法，其特征在于：根据元胞参数和半导体层级设计图，建立多下级单位并联等效电路模型；根据所述多下级单位并联等效电路模型，进行半导体层级内下级单位并联的电压、电流、热和力的耦合仿真，得到半导体层级内电压、电流、热和力场分布；将耦合仿真得到的下级单位电流和电压输入电磁场仿真模块，进行仿真得到半导体层级内电磁场分布；其中，所述元胞参数包括动静态特性和等效电容；所述半导体层级包括芯片和器件；当所述半导体层级为芯片时，所述下级单位为元胞；当所述半导体层级为器件时，所述下级单位为芯片。
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