[发明专利]一种评估FinFET器件总剂量辐射效应的方法有效
| 申请号： | 201810545443.7 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN110596560B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 安霞;任哲玄;李艮松;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种评估FinFET器件总剂量辐射效应的方法，关键在于在FinFET器件接受辐射源辐照时升高器件温度，温度变化量等于器件自热效应引起的温度变化量，通过升温辐照、室温测试得到FinFET器件转移、输出特性曲线，从中提取所需电学参数。该方法考虑了自热效应对FinFET器件总剂量辐射效应的影响，修正了常规总剂量辐照实验方法未考虑自热效应所带来的误差，能更加准确地评估FinFET器件总剂量辐射效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 评估 finfet 器件 剂量 辐射 效应 方法 | ||
【主权项】：
1.一种评估FinFET器件总剂量辐射效应的方法，包括以下步骤：/n1)测试FinFET器件自热效应带来的温度变化ΔT
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