[发明专利]一种半导体晶圆刻蚀装置

摘要

本发明属于半导体晶圆制造技术领域，具体的说是一种半导体晶圆刻蚀装置，包括密闭壳体、静电吸附平台、上电极板、下电极板、环形绝缘保护板、绝缘底座、离子缓冲模块、间隙自动补偿模块和离子抽取模块，本发明通过离子缓冲模块、间隙自动补偿模块和离子抽取模块的相互配合工作，可有效降低或避免等离子体A与下电极板导通后产生电弧放电而击伤下电极板，延长了半导体晶圆刻蚀装置的使用寿命。

主权项

1.一种半导体晶圆刻蚀系统，其特征在于：包括密闭壳体(1)、静电吸附平台(2)、上电极板(21)、下电极板(22)、环形绝缘保护板(3)、绝缘底座(4)、离子缓冲模块(5)、间隙自动补偿模块(6)和离子抽取模块(7)，所述密闭壳体(1)内部为真空环境；所述上电极板(21)位于密闭壳体(1)的壳顶中央；所述绝缘底座(4)位于密闭壳体(1)的壳底，绝缘底座(4)用于支撑静电吸附平台(2)；所述静电吸附平台(2)位于绝缘底座(4)上端，静电吸附平台(2)用于吸附晶圆(8)；所述下电极板(22)位于静电吸附平台(2)和绝缘底座(4)之间，下电极板(22)与上电极板(21)相对应；所述环形绝缘保护板(3)套设在静电吸附平台(2)上，环形绝缘保护板(3)用于屏蔽下电极板(22)与静电吸附平台(2)外缘周边，环形绝缘保护板(3)的上端面与静电吸附平台(2)平齐，环形绝缘保护板(3)的中央设置有环槽一(31)和环槽二(32)，所述环槽一(31)位于环形绝缘保护板(3)的内侧，环槽二(32)位于环槽一(31)的外侧；所述离子缓冲模块(5)位于环形绝缘保护板(3)上端，离子缓冲模块(5)用于对晶圆(8)边缘外高速轰击的等离子体A减速；所述间隙自动补偿模块(6)位于环槽一(31)内，间隙自动补偿模块(6)用于密封静电吸附平台(2)与环形绝缘保护板(3)之间到底间隙(33)，并对逐渐扩大的间隙(33)进行自动补偿，避免等离子体A轰击下电极板(22)；所述离子抽取模块(7)位于环槽二(32)内，离子抽取模块(7)用于抽取离子缓冲模块(5)和间隙自动补偿模块(6)处的等离子体A或其他反应产物。