[发明专利]一种基于复合激子回收层的纯无机钙钛矿发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201810515020.0 申请日: 2018-05-25
公开(公告)号: CN108735910B 公开(公告)日: 2019-12-10
发明(设计)人: 高春红;熊自阳;姚丹;玉福星;张月;马兴娟;王润;贾亚兰 申请(专利权)人: 西南大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 51250 成都时誉知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 何悦
地址: 400715*** 国省代码: 重庆;50
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明通过将TmPyPB:FIrpic复合激子回收层插入EML(CsPbBr
搜索关键词: 回收层 激子 制备 复合 电子传输层 发光二极管 三重态激子 无机钙钛矿 开启电压 器件性能 最大电流 单重态 发光 制作
【主权项】:
1.一种基于复合激子回收层的纯无机钙钛矿发光二极管,其特征在于:发光二极管的结构为ITO/PEDOT:PSS/CsPbBr
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