[发明专利]晶片生成装置在审
| 申请号： | 201810507100.1 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN109037027A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 饭塚健太吕;大宫直树;森俊;山中聪;平田和也 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片生成装置，其能够由单晶SiC晶锭自动地生成SiC晶片。晶片生成装置(2)包含：保持单元(4)，其对单晶SiC晶锭(150)进行保持；平坦化单元(6)，其对保持单元(4)所保持的单晶SiC晶锭(150)的上表面进行磨削以将其平坦化；激光照射单元(8)，其将具有对于单晶SiC晶锭(150)来说为透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离保持单元(4)所保持的单晶SiC晶锭(150)的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭(150)照射激光光线LB，形成剥离层(170)；晶片剥离单元(10)，其对单晶SiC晶锭(150)的上表面进行保持，将SiC晶片(172)从剥离层(170)剥离；以及晶片收纳单元(12)，其收纳剥离得到的SiC晶片(172)。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶SiC 晶锭 生成装置 上表面 剥离层 平坦化 晶片 剥离 激光照射单元 照射激光光线 激光光线 晶片剥离 晶片收纳 距离保持 收纳 聚光点 透过性 自动地 波长 磨削 种晶 | ||
【主权项】：
1.一种晶片生成装置，其是由单晶SiC晶锭生成SiC晶片的晶片生成装置，其中，该装置具备：保持单元，其对单晶SiC晶锭进行保持；平坦化单元，其对该保持单元所保持的单晶SiC晶锭的上表面进行磨削以将其平坦化；激光照射单元，其将具有对于单晶SiC晶锭来说为透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离该保持单元所保持的单晶SiC晶锭的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离单元，其对单晶SiC晶锭的上表面进行保持，将SiC晶片从剥离层剥离；以及晶片收纳单元，其收纳剥离得到的SiC晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
