[发明专利]一种化学气相淀积机台及处理机台报警的方法有效
申请号: | 201810503740.5 | 申请日: | 2018-05-23 |
公开(公告)号: | CN108754458B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 谢素兰 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/458;H01L21/67 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 智云 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种化学气相淀积机台及处理机台报警的方法,涉及半导体制造工艺技术领域。所述化学气相淀积机台包括基座和传送装置,所述传送装置用于带动一晶圆朝靠近或远离所述基座的方向运动,以使所述晶圆靠近所述基座并在所述基座上进行成膜反应,或使所述晶圆远离所述基座。当机台触发报警时,所述化学气相淀积机台暂停工作,所述传送装置将晶圆抬起,使晶圆和基座保持分离;解除报警,所述传送装置将晶圆传回基座上,化学气相淀积机台恢复工作。所述化学气相淀积机台及处理机台报警的方法可防止机台触发报警后,高温基座继续加热晶圆,防止反应腔内的残留气体在晶圆表面进行成核反应,逐渐形成缺陷,最终导致晶圆报废。 | ||
搜索关键词: | 一种 化学 气相淀积 机台 处理 报警 方法 | ||
【主权项】:
1.一种化学气相淀积机台,其特征在于,包括基座和传送装置,所述传送装置用于带动一晶圆朝靠近或远离所述基座的方向运动,以使所述晶圆靠近所述基座并在所述基座上进行成膜反应,或使所述晶圆远离所述基座。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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