[发明专利]一种化学气相淀积机台及处理机台报警的方法

说明书

本发明公开了一种化学气相淀积机台及处理机台报警的方法，涉及半导体制造工艺技术领域。所述化学气相淀积机台包括基座和传送装置，所述传送装置用于带动一晶圆朝靠近或远离所述基座的方向运动，以使所述晶圆靠近所述基座并在所述基座上进行成膜反应，或使所述晶圆远离所述基座。当机台触发报警时，所述化学气相淀积机台暂停工作，所述传送装置将晶圆抬起，使晶圆和基座保持分离；解除报警，所述传送装置将晶圆传回基座上，化学气相淀积机台恢复工作。所述化学气相淀积机台及处理机台报警的方法可防止机台触发报警后，高温基座继续加热晶圆，防止反应腔内的残留气体在晶圆表面进行成核反应，逐渐形成缺陷，最终导致晶圆报废。

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺技术领域，尤其是一种化学气相淀积机台及处理机台报警的方法。

背景技术

化学气相淀积(CVD)是利用气相反应，在高温、等离子或激光辅助等条件下控制反应气压、气流速率、基片材料温度等因素，从而控制纳米微粒薄膜的成核生长过程；或者通过薄膜后处理，控制非晶薄膜的晶化过程，从而获得纳米结构的薄膜材料的方法。目前，在芯片制造过程中，大部分所需的薄膜材料，不论是导体、半导体，或是介电材料，都可以用化学气相淀积来制备，如二氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜等。它具有淀积温度低，薄膜成分和厚度易控，薄膜厚度与淀积时间成正比，均匀性与重复性好，台阶覆盖好，操作方便等优点。其中淀积温度低和台阶覆盖好对超大规模集成电路的制造十分有利。化学气相淀积法在半导体工业中应用广泛的，是目前集成电路生产过程中最重要的薄膜淀积方法。

化学气相淀积工艺是半导体工艺中非常重要的一个环节，导电薄膜层和绝缘薄膜层对能否在硅衬底上成功制作出半导体器件而言至关重要。Vector机台是化学气相淀积工艺的一种主流机台，几乎可以用于淀积各种性质的导电薄膜层和绝缘薄膜层，应用非常广泛。在晶圆传送或淀积过程中，机台发生异常报警，程式停止，晶圆停留在反应腔内的基座上，基座继续加热晶圆，反应腔内的残留气体在晶圆表面进行成核反应，逐渐形成缺陷，晶圆在反应腔内停留的时间越久，形成缺陷的几率越高，最终导致晶圆报废。

发明内容

本发明的目的在于提供一种化学气相淀积机台及方法，防止在淀积过程中，化学气相淀积机台发生异常报警后，程式停止，晶圆停留在反应腔内的基座上，反应腔内的残留气体在晶圆表面进行成核反应，逐渐形成缺陷，最终导致晶圆报废。

为了达到上述目的，本发明提供了一种化学气相淀积机台，其特征在于，包括基座和传送装置，所述传送装置用于带动一晶圆朝靠近或远离所述基座的方向运动，以使所述晶圆靠近所述基座并在所述基座上进行成膜反应，或使所述晶圆远离所述基座。

可选的，所述传送装置包括支架和承载部件，所述承载部件与所述支架的一端连接，所述承载部件用于承载所述晶圆，所述支架能够沿其延伸方向直线运动以带动所述承载部件朝靠近或远离所述基座的方向运动。

可选的，所述基座数量为多个，所述传送装置还用于带动所述晶圆运动，以使所述晶圆从其中一个基座上方运动至另一个基座上方。

可选的，所述传送装置包括支架和承载部件，所述承载部件与所述支架的一端连接，所述承载部件用于承载所述晶圆，所述支架能够沿其延伸方向直线运动以带动所述承载部件朝靠近或远离所述基座的方向运动，并且所述支架能够自转以带动所述承载部件所述承载部件从其中一个基座上方运动至另一个基座上方。

可选的，所述承载部件的数量为多个，每个所述承载部件均与所述支架的一端连接，所述支架自转时带动所述多个承载部件同步转动。

可选的，所述承载部件的数量为4个，所述基座的数量为4个，4个所述承载部件关于所述支架对称分布，且4个所述基座关于所述支架对称分布。

可选的，所述承载装置为托盘。

本发明还提供一种处理机台报警的方法，所述机台为本节前文所述的化学气相淀积机台，所述处理机台报警的方法包括以下步骤：