[发明专利]一种半导体晶圆批量刻蚀方法

摘要

本发明涉及半导体工艺技术领域，具体涉及一种半导体晶圆批量刻蚀方法，该刻蚀方法涉及到的刻蚀装置包括反应腔、晶圆固定装置、气体注入口、激励线圈、旋转装置、离子加速器和加热装置。反应腔上设置有进气口、出气口和真空泵，真空泵与出气口相连接；晶圆固定装置位于反应腔内部；气体注入口设置在反应腔顶部；激励线圈环绕反应腔设置，激励线圈用于将刻蚀气体激发成等离子体；旋转装置与晶圆固定装置相连，旋转装置用于带动晶圆绕反应腔轴线旋转；离子加速器固定在反应腔内壁上，离子加速器用于对电离后的氯离子加速，使氯离子撞击晶圆；加热装置位于反应腔外部，加热装置用于对晶圆的加热。本装置适用于大批量的晶圆的刻蚀，有利于提高生产率。

主权项

1.一种半导体晶圆批量刻蚀方法，其特征在于：该刻蚀方法采用如下刻蚀装置，该刻蚀装置包括反应腔(1)、晶圆固定装置(2)、气体注入口(3)、激励线圈(4)、旋转装置(5)、离子加速器(6)和加热装置(7)；所述的反应腔(1)上设置有进气口(11)、出气口(12)和真空泵(13)，真空泵(13)与出气口(12)相连接，真空泵(13)用于将刻蚀完成后反应腔(1)内的气体排出；所述晶圆固定装置(2)数量为四，晶圆固定装置(2)用于将晶圆固定在反应腔(1)的顶部，晶圆的待刻蚀面垂直于反应腔(1)的底部；所述气体注入口(3)设置在反应腔(1)顶部，气体注入口(3)用于向反应腔(1)通入刻蚀气体；所述激励线圈(4)环绕反应腔(1)设置，激励线圈(4)用于将刻蚀气体激发成等离子体；所述旋转装置(5)与晶圆固定装置(2)相连，旋转装置(5)用于带动晶圆绕反应腔(1)轴线旋转；所述的离子加速器(6)数量为四，离子加速器(6)固定在反应腔(1)内壁上，离子加速器(6)分别与四个晶圆固定装置(2)相对，离子加速器(6)作用在于对电离后的等离子体加速，使离子体撞击晶圆；所述的加热装置(7)位于反应腔(1)外部，加热装置(7)用于对晶圆的加热；该刻蚀方法包括如下步骤：步骤一：将待刻蚀晶圆固定在晶圆固定装置(2)上；步骤二：步骤一中晶圆完成固定后，从反应腔(1)顶部气体注入口(3)注入氯气；步骤三：步骤二中通完氯气后，开启加热装置(7)，使热空气进入反应腔(1)内对晶圆进行加热；步骤四：步骤三中晶圆加热后，开启激励线圈(4)，将氯气电离成氯离子，并开启离子加速器(6)，对氯离子进行加速；步骤五：步骤四中的氯气被电离成氯离子，氯离子加速后，开启旋转装置(5)，使得晶圆旋转；步骤六：刻蚀结束后，打开反应腔(1)上的出气口(12)，通过真空泵(13)将反应腔内的刻蚀气体排出，关闭所有装置，将刻蚀后的晶圆取出。