[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一逻辑单元及第二逻辑单元，在衬底上在第一方向上彼此相邻；栅极电极，在第一逻辑单元及第二逻辑单元的每一者中在第一方向上延伸；电源线，在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间的边界处在第二方向上延伸；以及连接结构，将电源线电连接到第一逻辑单元的有源图案及第二逻辑单元的有源图案。连接结构位于电源线下方且从第一逻辑单元延伸到第二逻辑单元。连接结构的顶表面处于比栅极电极的顶表面的水平高度高的水平高度。在本发明的半导体器件中，单个连接结构可将电源线电连接到不同逻辑单元的源极/漏极区。由此，半导体器件的集成度可因此得到提高且制造可因此得到简化。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；第一逻辑单元，设置在所述衬底上且包括第一有源图案；第二逻辑单元，设置在所述衬底上且包括第二有源图案；第一栅极电极，在第一方向上延伸且设置在所述第一逻辑单元上；第二栅极电极，在所述第一方向上延伸且设置在所述第二逻辑单元上；电源线，在所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元之间的边界处在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向垂直；以及连接结构，将所述电源线电连接到所述第一有源图案及所述第二有源图案，其中所述连接结构设置在所述电源线下方且从所述第一逻辑单元延伸到所述第二逻辑单元，且所述连接结构的顶表面处于比所述第一栅极电极的顶表面的水平高度高的水平高度。