[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明公开一种半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一逻辑单元及第二逻辑单元，在衬底上在第一方向上彼此相邻；栅极电极，在第一逻辑单元及第二逻辑单元的每一者中在第一方向上延伸；电源线，在第一逻辑单元与第二逻辑单元之间的边界处在第二方向上延伸；以及连接结构，将电源线电连接到第一逻辑单元的有源图案及第二逻辑单元的有源图案。连接结构位于电源线下方且从第一逻辑单元延伸到第二逻辑单元。连接结构的顶表面处于比栅极电极的顶表面的水平高度高的水平高度。在本发明的半导体器件中，单个连接结构可将电源线电连接到不同逻辑单元的源极/漏极区。由此，半导体器件的集成度可因此得到提高且制造可因此得到简化。

[相关申请的交叉参考]

本申请主张在2017年6月8日提出申请的韩国专利申请第10-2017-0071832号的优先权，所述韩国专利申请的全部内容并入本文供参考。

技术领域

本发明概念涉及一种半导体器件以及制造所述半导体器件的方法，且更具体来说，涉及包括场效应晶体管的半导体器件以及制造所述半导体器件的方法。

背景技术

由于半导体器件的大小小、功能多及/或制作成本低，因此半导体器件被视为电子产业中的重要因素。半导体器件可被分类为以下中的任一种：存储逻辑数据的半导体存储器件；处理逻辑数据的运算的半导体逻辑器件；以及具有存储元件及逻辑元件二者的混合半导体器件。随着电子产业向前发展，半导体器件对高集成度的需要越来越强。举例来说，日益要求半导体器件具有高的可靠性、高的速度、及/或多功能。半导体器件逐渐变得复杂且被高度集成以满足这些所要求特性。

发明内容

本发明概念的一些实施例提供一种包括高度集成的场效应晶体管的半导体器件。

本发明概念的实施例提供一种制造包括高度集成的场效应晶体管的半导体器件的方法。

根据本发明概念的示例性实施例，一种半导体器件可包括：栅极电极，在第一逻辑单元及第二逻辑单元的每一者中在第一方向上延伸；电源线，在所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元之间的边界处在第二方向上延伸；以及连接结构，将所述电源线电连接到所述第一逻辑单元的有源图案及所述第二逻辑单元的有源图案。所述连接结构可位于所述电源线下方且从所述第一逻辑单元延伸到所述第二逻辑单元。所述连接结构的顶表面可处于比所述栅极电极的顶表面的水平高度高的水平高度。所述第二方向可与所述第一方向交叉。

根据本发明概念的示例性实施例，一种半导体器件可包括：第一逻辑单元及第二逻辑单元，在衬底上在第一方向上彼此相邻；栅极电极，在所述第一逻辑单元及所述第二逻辑单元的每一者中在所述第一方向上延伸；电源线，在所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元之间的边界处在第二方向上延伸；以及连接结构，将所述电源线电连接到所述第一逻辑单元的有源图案及所述第二逻辑单元的有源图案。所述连接结构可包括：第一接触部，位于所述第一逻辑单元的所述有源图案上；第二接触部，位于所述第二逻辑单元的所述有源图案上；以及桥接部，将所述第一接触部连接到所述第二接触部。所述第二逻辑单元的所述栅极电极可在所述第一方向上与所述第一逻辑单元的所述栅极电极对齐。在平面图中，所述桥接部可在所述第二逻辑单元的栅极电极与所述第一逻辑单元的栅极电极之间伸展。所述第二方向可与所述第一方向交叉。

根据本发明概念的示例性实施例，一种制造半导体器件的方法可包括：设计所述半导体器件的布局；以及使用所述布局在衬底上形成图案。所述设计所述布局的步骤可包括：将第一标准单元与第二标准单元在第一方向上彼此相邻地布局；以及使用连接图案替代所述第一标准单元中的多个接触图案中的第一接触图案及所述第二标准单元中的多个接触图案中的第二接触图案。所述布局可包括在所述第一标准单元与所述第二标准单元之间的边界处在第二方向上延伸的电源图案。所述第二方向可与所述第一方向交叉。所述第一接触件可从所述第一标准单元的有源区延伸到所述电源图案。所述第二接触图案可从所述第二标准单元的有源区延伸到所述电源图案。

附图说明