[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

第一逻辑单元，设置在所述衬底上且包括第一有源图案；

第二逻辑单元，设置在所述衬底上且包括第二有源图案；

第一栅极电极，在第一方向上延伸且设置在所述第一逻辑单元上；

第二栅极电极，在所述第一方向上延伸且设置在所述第二逻辑单元上；

电源线，在所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元之间的边界处在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向垂直；以及

连接结构，将所述电源线电连接到所述第一有源图案及所述第二有源图案，

其中所述连接结构设置在所述电源线下方且从所述第一逻辑单元延伸到所述第二逻辑单元，且

所述连接结构的顶表面处于比所述第一栅极电极的顶表面的水平高度高的水平高度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅极电极在所述第一方向上与所述第一栅极电极对齐，且

在平面图中，所述连接结构在所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间伸展。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括绝缘图案，所述绝缘图案位于所述第一栅极电极与所述第二栅极电极之间并将所述第一栅极电极与所述第二栅极电极隔开，

其中所述连接结构跨越所述绝缘图案。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述连接结构包括：

第一接触部，设置在所述第一有源图案上；

第二接触部，设置在所述第二有源图案上；以及

桥接部，将所述第一接触部连接到所述第二接触部，且在所述第二方向上或在第三方向上延伸，所述第三方向垂直于所述第一方向及所述第二方向。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二接触部在所述第二方向上相对于虚拟线偏置，且

所述虚拟线跨越所述第一接触部的中心伸展且在所述第一方向上延伸。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述连接结构包括：

多个第一接触部，设置在所述第一有源图案上；

多个第二接触部，设置在所述第二有源图案上；以及

桥接部，将所述多个第一接触部连接到所述多个第二接触部，且在平面图中，在所述第一逻辑单元与所述第二逻辑单元之间的所述边界处以锯齿形路径延伸。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一有源图案及所述第一栅极电极构成第一晶体管，且

所述第二有源图案及所述第二栅极电极构成第二晶体管，所述第一晶体管与所述第二晶体管具有相同的导电性。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述电源线与所述连接结构之间的通孔，

其中在平面图中，所述通孔具有在与所述第一方向及所述第二方向垂直的第三方向上延伸的棒形状，且

所述连接结构具有位于所述通孔下方的部分，所述连接结构的所述部分在所述第三方向上延伸。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一有源图案包括：

第一沟道区，设置在所述第一栅极电极下方；以及

多个第一源极/漏极区，设置在所述第一沟道区的相对两侧处，

其中所述第二有源图案包括：

第二沟道区，设置在所述第二栅极电极下方；以及

多个第二源极/漏极区，设置在所述第二沟道区的相对两侧处，且

其中所述连接结构将所述多个第一源极/漏极区连接到所述多个第二源极/漏极区。