[发明专利]铜晶须的制备方法在审
申请号: | 201810468715.8 | 申请日: | 2018-05-16 |
公开(公告)号: | CN108570710A | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 张燕辉;于广辉;陈志蓥;隋妍萍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | C30B29/62 | 分类号: | C30B29/62;C30B29/02;C30B1/00 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种铜晶须的制备方法,包括:1)提供铜基材,将所述铜基材置于硫源溶液中进行硫化反应,以在所述铜基材表面形成铜的硫化物;2)对表面具有铜的硫化物的所述铜基材进行清洗及干燥处理;3)对表面具有铜的硫化物的所述铜基材置于还原气氛中进行还原反应,以在所述铜基材表面生长形成铜晶须。本发明的制备方法重复性高、简单易行,适用于铜晶须的规模批量制备。本发明可以通过控制铜硫化反应的程度以及还原反应的程度来控制铜晶须的生长速度和尺寸。本发明利用不同的铜基材,可实现铜线、铜板、铜粉等上晶须的生长,增强或拓展基材的性能。 | ||
搜索关键词: | 铜基材 晶须 硫化物 制备 还原反应 表面生长 表面形成 干燥处理 还原气氛 硫化反应 硫源溶液 批量制备 铜线 铜硫化 生长 铜板 基材 铜粉 清洗 拓展 | ||
【主权项】:
1.一种铜晶须的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:1)提供铜基材,将所述铜基材置于硫源溶液中进行硫化反应,以在所述铜基材表面形成铜的硫化物;2)对表面具有铜的硫化物的所述铜基材进行清洗及干燥处理;3)对表面具有铜的硫化物的所述铜基材置于还原气氛中进行还原反应,以在所述铜基材表面生长形成铜晶须。
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