[发明专利]一种半导体晶圆刻蚀方法

摘要

本发明属于半导体工艺技术领域，具体的说是一种半导体晶圆刻蚀方法，该刻蚀方法采用如下半导体晶圆刻蚀装置，该半导体晶圆刻蚀装置包括反应桶、激励线圈一、离子加速器、固定套、反应台、震荡单元和电机，激励线圈一套设在反应桶外部，激励线圈一用于将反应桶内刻蚀气体激发成等离子体；固定套固定在气体导入管下端；离子加速器用于给等离子体加速而轰击半导体晶圆；反应台位于离子加速器正下方；电机带动震荡单元转动，震荡单元驱动反应台产生多自由度震荡转动，实现半导体晶圆上的刻蚀废料氯化铝自动脱离；本发明通过使刻蚀废料被及时有效被排除，提高了半导体晶圆的刻蚀效率和刻蚀效果。

主权项

1.一种半导体晶圆刻蚀方法，其特征在于：该刻蚀方法采用如下半导体晶圆刻蚀装置，该半导体晶圆刻蚀装置包括反应桶(1)、激励线圈一(2)、离子加速器(3)、固定套(4)、反应台(5)、震荡单元(6)和电机(8)，所述反应桶(1)上设置有气体导入管(11)和气体输出管(12)；所述气体导入管(11)位于反应桶(1)顶端，气体导入管(11)用于向反应桶(1)内导入刻蚀气体；所述气体输出管(12)位于反应桶(1)下端，气体输出管(12)用于将反应桶(1)内的气体向外输送；所述激励线圈一(2)套设在反应桶(1)外部，激励线圈一(2)用于将反应桶(1)内刻蚀气体激发成等离子体；所述固定套(4)固定在气体导入管(11)下端，固定套(4)用于固定离子加速器(3)；所述离子加速器(3)位于气体导入管(11)正下方，离子加速器(3)用于给等离子体加速；所述反应台(5)位于离子加速器(3)正下方，反应台(5)用于放置和固定半导体晶圆(9)；所述震荡单元(6)的上端与反应台(5)连接，震荡单元(6)的下端与电机(8)连接，电机(8)带动震荡单元(6)转动，震荡单元(6)驱动反应台(5)产生多自由度震荡转动，实现半导体晶圆(9)上的刻蚀废料自动脱离；该刻蚀方法包括如下步骤：步骤一：将嵌入有铝材料(91)的半导体晶圆(9)放入反应台(5)上，并固定半导体晶圆(9)，闭合反应桶(1)；步骤二：待步骤一的反应桶(1)闭合后，用气体导入管(11)向反应桶(1)内通入氯气，并给反应桶(1)内气体升温，同时，给激励线圈一(2)通电，将氯气激发成等离子体，开启离子加速器(3)，用离子加速器(3)给等离子体加速并使等离子体轰击半导体晶圆(9)，对半导体晶圆(9)开始刻蚀；步骤三：待步骤二中对半导体晶圆(9)开始刻蚀后，开启电机(8)，用电机(8)驱动反应台(5)产生多自由度震荡转动，使反应产生的氯化铝快速散开，使氯离子与铝充分反应，加快半导体晶圆(9)刻蚀；步骤四：待步骤三中半导体晶圆(9)刻蚀完成后，抽走氯气，打开反应桶(1)，取出刻蚀完成后的半导体晶圆(9)。