[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本公开涉及制造半导体器件的方法。提供了一种SOI衬底，其具有半导体衬底、形成在半导体衬底上的绝缘层以及形成在绝缘层上的半导体层。第一区域是用于在半导体层中形成低击穿电压MISFET的区域，并且已经从中去除了绝缘层和半导体层的第二区域是用于形成高击穿电压MISFET的区域。在第二区域中形成n型半导体区域且在第一区域中形成n型延伸区域之后，对半导体衬底执行第一热处理。此后，在第一和第二区域的每一个中形成扩散层，然后对半导体衬底执行第二热处理。这里，执行第一热处理的时间长于执行第二热处理的时间。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的绝缘层以及形成在所述绝缘层上的第一半导体层；(b)去除第二区域中的所述绝缘层和所述第二区域中的所述第一半导体层，而留下第一区域中的所述绝缘层和所述第一区域中的所述第一半导体层，其中将要形成第二MISFET的所述第二区域不同于其中将要形成第一MISFET的所述第一区域；(c)在步骤(b)之后，经由第一栅极绝缘膜在所述第一区域中的所述第一半导体层上形成所述第一MISFET的第一栅电极，并且经由第二栅极绝缘膜在所述第二区域中的所述半导体衬底上形成所述第二MISFET的第二栅电极；(d)在步骤(c)之后，通过离子注入工艺，在所述第二区域中的所述半导体衬底中形成具有n型导电性的第一半导体区域；(e)在步骤(c)之后，通过离子注入工艺，在所述第一区域中的所述第一半导体层中形成具有n型导电性的第一延伸区域；(f)在步骤(d)和(e)之后，对所述半导体衬底执行第一热处理；(g)在步骤(f)之后，通过离子注入工艺，在所述第二区域中的所述半导体衬底中形成第二扩散层，所述第二扩散层具有的浓度高于所述第一半导体区域的浓度并且具有n型导电性；(h)在步骤(f)之后，通过离子注入工艺，在所述第一区域中的所述第一半导体层中形成第一扩散层，所述第一扩散层具有的浓度高于所述第一延伸区域的浓度并且具有n型导电性；以及(i)在步骤(g)和(h)之后，对所述半导体衬底执行第二热处理，其中执行所述第一热处理的时间长于执行所述第二热处理的时间。