[发明专利]肖特基二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201810456701.4 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN108493257B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 裴轶;裴晓延 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王文红 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种肖特基二极管及其制造方法。该肖特基二极管包括：半导体层、位于半导体层一侧的三端端口，该三端端口包括第一电极和第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的第三电极。其中，第二电极与半导体层肖特基接触，且第二电极与第三电极电连接形成肖特基二极管的阳极。第一电极与半导体层欧姆接触，作为肖特基二极管的阴极。通过上述设置，以在第三电极反偏电压增加达到其阈值电压时，第三电极下方沟道层完全被耗尽层夹断，随第二电极上施加的反偏电压继续增加，第三电极下方的耗尽层逐渐向第一电极和第二电极展宽，此时肖特基二极管上施加的反偏电压主要由第三电极下方的耗尽层来承担，使得二极管的反向耐压能力更强、漏电更小。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：半导体层；和位于所述半导体层一侧的三端端口；所述三端端口包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的第三电极，其中，所述第二电极的至少一部分延伸至所述半导体层内，并与所述半导体层形成肖特基接触，且所述第二电极与所述第三电极电连接形成所述肖特基二极管的阳极，所述第一电极与所述半导体层欧姆接触，作为所述肖特基二极管的阴极；其中，当所述肖特基二极管承受反偏电压时，所述第三电极下方形成耗尽层。
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