[发明专利]肖特基二极管及其制造方法

说明书

本发明提供一种肖特基二极管及其制造方法。该肖特基二极管包括：半导体层、位于半导体层一侧的三端端口，该三端端口包括第一电极和第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的第三电极。其中，第二电极与半导体层肖特基接触，且第二电极与第三电极电连接形成肖特基二极管的阳极。第一电极与半导体层欧姆接触，作为肖特基二极管的阴极。通过上述设置，以在第三电极反偏电压增加达到其阈值电压时，第三电极下方沟道层完全被耗尽层夹断，随第二电极上施加的反偏电压继续增加，第三电极下方的耗尽层逐渐向第一电极和第二电极展宽，此时肖特基二极管上施加的反偏电压主要由第三电极下方的耗尽层来承担，使得二极管的反向耐压能力更强、漏电更小。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种肖特基二极管及其制造方法。

背景技术

第三代半导体材料氮化镓(GaN)作为宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、导热性能好等特点，已经成为目前的研究热点。在电子器件方面，氮化镓材料比硅和砷化镓更适合于制造高温、高频、高压和大功率器件，氮化镓基电子器件具有很好的应用前景。

氮化镓肖特基二极管通常被应用于功率电子领域，这对二极管的功耗有较高的要求，例如要求氮化镓肖特基二极管反向能承受大电压、反向漏电小以及开启电压小。

传统氮化镓肖特基二极管一般是通过增加肖特基势垒高度来提高肖特基二极管的反向耐压和减小漏电。但增加肖特基势垒高度又会导致二极管正向开启电压增加。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种肖特基二极管及其制造方法，以解决上述问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种肖特基二极管，所述肖特基二极管包括：

半导体层；

位于所述半导体层一侧的三端端口，该三端端口包括第一电极和第二电极以及位于所述第一电极与第二电极之间的第三电极，其中，所述第二电极的至少一部分延伸至所述半导体层内，并与所述半导体层肖特基接触，且所述第二电极与第三电极电连接形成所述肖特基二极管的阳极，所述第一电极与所述半导体层欧姆接触，作为所述肖特基二极管的阴极。

其中，当所述肖特基二极管承受反偏电压时，所述第三电极下方形成耗尽层。可选地，所述第三电极距所述第二电极预设距离。

可选地，所述肖特基二极管包括一个或多个场板，所述场板向所述第三电极和所述第一电极中的至少一个方向延伸，且延伸部分位于所述第一电极和所述第三电极之间。

可选地，所述肖特基二极管还包括第一场板，所述第一场板与所述第一电极电连接，并向所述第三电极方向延伸。

可选地，所述肖特基二极管还包括第二场板，所述第二场板位于所述第一场板上方，所述第二场板与所述第一电极电连接，并向所述第三电极方向延伸。

可选地，所述肖特基二极管还包括第三场板，所述第三场板与所述第三电极电连接，并向所述第一电极方向延伸。

可选地，所述肖特基二极管还包括第四场板，所述第四场板位于所述第三场板上方，所述第四场板与所述第三电极电连接，并向所述第一电极方向延伸。

可选地，所述肖特基二极管还包括位于所述第三电极和半导体层之间的介质层。

可选地，所述半导体层包括：衬底、位于衬底一侧的缓冲层、位于所述缓冲层远离所述衬底一侧的沟道层、位于所述沟道层远离所述缓冲层一侧的势垒层。

可选地，所述第二电极靠近所述第三电极的一侧包括第一倾斜面，所述第一倾斜面与所述势垒层的上表面斜交，形成第一倾角。