[发明专利]肖特基二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种肖特基二极管，其特征在于，包括：

半导体层；和

位于所述半导体层一侧的三端端口；

所述三端端口包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的第三电极，其中，所述第二电极的至少一部分延伸至所述半导体层内，并与所述半导体层形成肖特基接触，且所述第二电极与所述第三电极电连接形成所述肖特基二极管的阳极，所述第一电极与所述半导体层欧姆接触，作为所述肖特基二极管的阴极；

其中，当所述肖特基二极管承受反偏电压时，所述第三电极下方形成耗尽层；

所述第三电极距所述第二电极预设距离，且所述预设距离大于或等于1.1μm。

2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其特征在于，进一步包括一个或多个场板，所述场板向所述第三电极和所述第一电极中的至少一个方向延伸，且延伸部分位于所述第一电极和所述第三电极之间。

3.根据权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述一个或多个场板包括第一场板，所述第一场板与所述第一电极电连接，并向所述第三电极方向延伸。

4.根据权利要求3所述的肖特基二极管，其特征在于，所述一个或多个场板还包括位于所述第一场板上方的第二场板，所述第二场板与所述第一电极电连接，并向所述第三电极方向延伸。

5.根据权利要求2所述的肖特基二极管，其特征在于，所述一个或多个场板包括第三场板，所述第三场板与所述第三电极电连接，并向所述第一电极方向延伸。

6.根据权利要求5所述的肖特基二极管，其特征在于，所述一个或多个场板还包括位于所述第三场板上方的第四场板，所述第四场板与所述第三电极电连接，并向所述第一电极方向延伸。

7.根据权利要求1-6任一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管还包括位于所述第三电极和所述半导体层之间的介质层。

8.根据权利要求1-6任意一项所述的肖特基二极管，其特征在于，所述半导体层包括势垒层，所述第二电极靠近所述第三电极的一侧包括第一倾斜面，所述第一倾斜面与所述势垒层的上表面斜交，形成第一倾角。

9.根据权利要求8所述的肖特基二极管，其特征在于，所述半导体层进一步包括位于所述势垒层一侧的沟道层，所述第二电极延伸至所述势垒层内或所述沟道层内，所述第二电极靠近所述第三电极的一侧还包括第二倾斜面，所述第二倾斜面与所述势垒层和所述沟道层中的至少一层斜交，形成第二倾角。

10.一种肖特基二极管制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一半导体层；

在所述半导体层上形成与所述半导体层欧姆接触的第一电极，作为所述肖特基二极管的阴极；

在所述半导体层上形成与所述半导体层肖特基接触的第二电极；

在所述半导体层上形成位于所述第一电极和所述第二电极之间的第三电极；

电连接所述第二电极和所述第三电极，使所述第二电极和所述第三电极共同作为肖特基二极管的阳极；

其中，当所述肖特基二极管承受反偏电压时，所述第三电极下方形成耗尽层；所述第三电极距所述第二电极预设距离，且所述预设距离大于或等于1.1μm。

11.根据权利要求10所述的肖特基二极管制造方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述第一电极和/或第三电极上形成与所述第一电极和/或第三电极电连接的一个或多个场板，所述场板向所述第三电极和所述第一电极中的至少一个方向延伸，且延伸部分位于所述第一电极和所述第三电极之间。