[发明专利]半导体装置的形成方法有效
| 申请号： | 201810438794.8 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN109585285B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 黄伟杰;陈界璋;许峰嘉;郭景森;梁晋玮;陈侠威 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置的形成方法包括形成自基板凸起的结构，形成介电层以覆盖结构，形成虚置层以覆盖介电层，以及进行平坦化工艺以完全移除虚置层。平坦化工艺对虚置层的移除速率小于对介电层的移除速率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一结构，且该结构自一基板凸起；形成一介电层，以覆盖该结构；形成一虚置层，以覆盖该介电层；以及进行一平坦化工艺，以完全移除该虚置层，其中该平坦化工艺对该虚置层的材料的移除速率，小于对该介电层的材料的移除速率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810438794.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件及其形成方法
- 下一篇：负电容结构的形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
