[发明专利]一种应用于高频开关单片电路的PIN二极管在审
| 申请号： | 201810428459.X | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN108493254A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋东铭 | 申请（专利权）人： | 南京国博电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出的是一种应用于高频开关单片电路的PIN二极管，其结构包括GaAs衬底、P型半导体层、I型半导体层、N型半导体层，其中GaAs衬底的表面自下而上依次设置N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层；所述的N型半导体层在GaAs衬底的Y方向两侧分别设有N1和N2两个引线输出端，P型半导体层在GaAs衬底的X方向两侧分别设有P1和P2两个引线输出端。优点：1）利用空气桥实现两个PIN二极管并联的效果；2）减小阻抗，保证开关在关断时的隔离度；3）关闭时增加的寄生电容、电阻对开关的插损影响较小。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 单片电路 高频开关 输出端 寄生电容 依次设置 隔离度 空气桥 并联 插损 电阻 关断 减小 阻抗 应用 保证 | ||
【主权项】：
1.一种应用于高频开关单片电路的PIN二极管，其结构包括GaAs衬底、P型半导体层、I型半导体层、N型半导体层，其中GaAs衬底的表面自下而上依次设置N型半导体层、I型半导体层、P型半导体层。
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