[发明专利]一种自对准底栅薄膜晶体管及其制备方法

摘要

一种自对准底栅薄膜晶体管及其制备方法，制备方法包括以下步骤：依次在衬底上沉积导电薄膜、绝缘体薄膜和图案化的疏水聚合物薄膜；采用湿法刻蚀工艺，保留疏水聚合物薄膜覆盖下的绝缘体薄膜和导电薄膜；再在疏水聚合物两侧沉积绝缘体薄膜、然后采用喷墨印刷工艺制备源漏电极；疏水聚合物被除去后，在栅介质层和源漏电极之上沉积半导体薄膜作为薄膜晶体管的有源层。本发明制备工艺简单，成本低，能够减少寄生效应，可应用于制备短沟道器件。

主权项

1.一种自对准底栅薄膜晶体管制备方法，其特征在于,具体包括如下步骤:(1)在衬底上制备第一导电薄膜；(2)在第一导电薄膜上制备第一绝缘体薄膜；(3)在所述第一绝缘体薄膜上制备图案化的疏水聚合物薄膜；(4)利用湿法腐蚀工艺除去未被图案化的疏水聚合物薄膜覆盖的第一绝缘体薄膜及第一导电薄膜部分，去除后余留的第一导电薄膜作为栅电极，余留的第一绝缘体薄膜作为栅介质层；(5)在所述图案化的疏水聚合物薄膜的两侧附着第二绝缘体薄膜作为绝缘介质层，两侧的第二绝缘体薄膜及图案化的疏水聚合物薄膜将栅介质层和栅电极包覆，且第二绝缘体薄膜位于栅介质层两侧并与栅介质层连为一体；(6)在图案化的疏水聚合物薄膜的两侧分别印刷导电墨水，经烧结得到第二导电薄膜作为源漏电极，其中一侧的第二导电薄膜作为薄膜晶体管的源电极，另一侧的第二导电薄膜作为漏电极；(7)除去图案化的疏水聚合物薄膜；(8)在栅介质层、源电极、漏电极之上沉积半导体薄膜作为薄膜晶体管的有源层。