[发明专利]一种VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构在审

专利信息
申请号: 201810419400.4 申请日: 2018-05-04
公开(公告)号: CN108376674A 公开(公告)日: 2018-08-07
发明(设计)人: 周理明;王毅;赵成;孙越;韩亚;张孔欣 申请(专利权)人: 扬州扬杰电子科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31
代理公司: 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙) 32283 代理人: 周全;葛军
地址: 225008 江苏省扬*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构。涉及电子封装技术领域,尤其涉及VDMOS功率器件塑封用防分层翘曲结构。提供了一种结构简单,方便加工,提高产品质量的VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构。包括矩形基板,所述基板的顶面中间设有矩形芯片粘接区,基板顶面四角端分别设有第一金属凸柱组,基板顶面的芯片粘接区四角外侧分别设有第二金属凸柱组,基板底面设有第三金属凸柱组和第四金属凸柱组,所述基板和第一~四金属凸柱组上覆盖有塑封体;所述第一金属凸柱组位于第三金属凸柱组的正上方,第二金属凸柱组位于第四金属凸柱组的正上方。本发明的VDMOS功率器件防分层翘曲结构设计独特、结构简单、制作方便。
搜索关键词: 金属凸柱 功率器件 防分层 翘曲 塑封 粘接区 基板 电子封装技术 基板底面 基板顶面 矩形基板 矩形芯片 制作方便 基板顶 四角端 塑封体 顶面 芯片 覆盖 加工
【主权项】:
1.一种VDMOS功率器件塑封防分层翘曲结构,其特征在于,包括矩形基板,所述基板的顶面中间设有矩形芯片粘接区,基板顶面四角端分别设有第一金属凸柱组,基板顶面的芯片粘接区四角外侧分别设有第二金属凸柱组,基板底面设有第三金属凸柱组和第四金属凸柱组,所述基板和第一~四金属凸柱组上覆盖有塑封体;所述第一金属凸柱组位于第三金属凸柱组的正上方,第二金属凸柱组位于第四金属凸柱组的正上方;第一~四金属凸柱组包括若干金属凸柱,其中,两两金属凸柱之间设有间距。
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