[发明专利]OTP存储器件及其制作方法、电子装置

摘要

本发明提供一种OTP存储器件及其制作方法、电子装置，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有沿第一方向延伸的有源区和隔离结构，在所述有源区上形成有若干存储单元，同一所述有源区上相邻的所述存储单元呈镜像布置；在所述半导体衬底上还形成有阻挡层，所述阻挡层包括沿第二方向延伸的第一覆盖部和沿第一方向延伸的第二覆盖部，所述第一覆盖部覆盖位于同一直线上的所述浮栅以及相邻的所述浮栅之间的所述隔离结构，所述第二覆盖部覆盖所述相邻的所述位线之间的所述隔离结构。根据本发明的OTP存储器件可以避免相邻的位线接触孔桥接互连而引起器件失效的问题，提高了器件的良率和可靠性。该OTP存储器件的制作方法和电子装置具有类似的优点。

主权项

1.一种OTP存储器件，其特征在于，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有沿第一方向延伸的有源区和隔离结构，所述有源区和所述隔离结构沿第二方向间隔布置，所述第一方向和所述第二方向彼此垂直；在所述有源区上形成有若干存储单元，每个所述存储单元包括串联连接的选通管和存储管，同一所述有源区上相邻的所述存储单元呈镜像布置，并且具有公共的位线和源线，每个所述位线两侧形成有一个沿所述第二方向延伸的浮栅，每个所述源线两侧形成一个沿所述第二方向延伸的选择栅，相邻所述有源区上的在所述第二方向上位于同一直线上的选择栅彼此连接，相邻所述有源区上的在所述第二方向上位于同一直线上的浮栅彼此不连接；在所述半导体衬底上还形成有阻挡层，所述阻挡层包括沿第二方向延伸的第一覆盖部和沿第一方向延伸的第二覆盖部，所述第一覆盖部覆盖所述第二方向上位于同一直线上的所述浮栅以及相邻的所述浮栅之间的所述隔离结构，所述第二覆盖部覆盖所述第二方向相邻的所述位线之间的所述隔离结构。