[发明专利]OTP存储器件及其制作方法、电子装置

权利要求书

1.一种OTP存储器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有沿第一方向延伸的有源区和隔离结构，所述有源区和所述隔离结构沿第二方向间隔布置，所述第一方向和所述第二方向彼此垂直；

在所述有源区上形成有若干存储单元，每个所述存储单元包括串联连接的选通管和存储管，同一所述有源区上相邻的所述存储单元沿所述第二方向呈镜像布置，并且具有公共的位线和源线，每个所述位线两侧各形成有一个沿所述第二方向延伸的浮栅，每个所述源线两侧各形成一个沿所述第二方向延伸的选择栅，相邻所述有源区上的在所述第二方向上位于同一直线上的选择栅彼此连接，相邻所述有源区上的在所述第二方向上位于同一直线上的浮栅彼此不连接；

在所述半导体衬底上还形成有阻挡层，所述阻挡层包括沿第二方向延伸的第一覆盖部和沿第一方向延伸的第二覆盖部，所述第一覆盖部覆盖所述第二方向上位于同一直线上的所述浮栅以及相邻的所述浮栅之间的所述隔离结构，所述第二覆盖部覆盖所述第二方向相邻的所述位线之间的所述隔离结构。

2.根据权利要求1所述的OTP存储器件，其特征在于，在所述半导体衬底上还形成有覆盖所述半导体衬底、所述浮栅和所述选择栅的层间介电层。

3.根据权利要求2所述的OTP存储器件，其特征在于，在所述层间介电层中形成有接触孔，所述接触孔的位置与所述位线和所述源线的位置对应。

4.根据权利要求3所述的OTP存储器件，其特征在于，在所述第二方向上位于同一直线上的所述源线通过各自的所述接触孔引出并且使彼此之间电连接，以作为公共的源线。

5.一种OTP存储器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成沿第一方向延伸的有源区和隔离结构，所述有源区和所述隔离结构沿第二方向间隔布置，所述第一方向和所述第二方向彼此垂直；

在所述有源区上形成若干存储单元，每个所述存储单元包括串联连接的选通管和存储管，同一所述有源区上相邻的所述存储单元沿所述第二方向呈镜像布置，并且具有公共的位线和源线，每个所述位线两侧各形成有一个沿所述第二方向延伸的浮栅，每个所述源线两侧各形成一个沿所述第二方向延伸的选择栅，相邻所述有源区上的在所述第二方向上位于同一直线上的所述选择栅彼此连接，相邻所述有源区上的在所述第二方向上位于同一直线上的所述浮栅彼此不连接；

在所述半导体衬底上形成阻挡层，所述阻挡层包括沿第二方向延伸的第一覆盖部和沿第一方向延伸的第二覆盖部，所述第一覆盖部覆盖所述第二方向上位于同一直线上的所述浮栅以及相邻的所述浮栅之间的所述隔离结构，所述第二覆盖部覆盖所述第二方向相邻的所述位线之间的所述隔离结构。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述半导体衬底上形成覆盖所述半导体衬底、所述浮栅和所述选择栅的层间介电层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述层间介电层中形成有接触孔，所述接触孔的位置与所述位线和所述源线的位置对应。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述第二方向上位于同一直线上的所述源线通过各自的所述接触孔引出并且使彼此之间电连接，以作为公共的源线。

9.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述阻挡层还用作金属硅化物遮蔽层，所述制作方法还包括：

以所述阻挡层为掩膜在所述选择栅、所述位线和所述源线上形成金属硅化物。

10.一种电子装置，包括权利要求1-4中的任意一项所述的OTP存储器件以及与所述OTP存储器件相连的电子组件。