[发明专利]连接构件及其制造方法以及半导体封装件有效

专利信息
申请号: 201810399546.7 申请日: 2018-04-28
公开(公告)号: CN109755206B 公开(公告)日: 2023-05-23
发明(设计)人: 李在彦;郑泰成;高永宽;李硕浩;卞贞洙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 孙丽妍;马金霞
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种连接构件及其制造方法以及半导体封装件。所述半导体封装件包括:半导体芯片;连接构件,具有第一表面和与第一表面背对的第二表面,半导体芯片设置在第一表面上;包封件,设置在连接构件的第一表面上,并包封半导体芯片;钝化层,位于连接构件的第二表面上;以及凸块下金属层,部分地嵌在钝化层中,其中,凸块下金属层包括:凸块下金属过孔,嵌在钝化层中并连接到连接构件的重新分布层;以及凸块下金属焊盘,连接到凸块下金属过孔,并从钝化层的表面突出,并且凸块下金属过孔的与凸块下金属焊盘接触的部分的宽度比凸块下金属过孔的与重新分布层接触的部分的宽度窄。
搜索关键词: 连接 构件 及其 制造 方法 以及 半导体 封装
【主权项】:
1.一种半导体封装件,包括:半导体芯片,具有连接焊盘;连接构件,具有第一表面和与所述第一表面背对的第二表面,所述半导体芯片设置在所述第一表面上,所述第二表面上设置有电连接到所述连接焊盘的重新分布层;包封件,设置在所述连接构件的所述第一表面上,并包封所述半导体芯片;钝化层,设置在所述连接构件的所述第二表面上;以及凸块下金属层,部分地嵌在所述钝化层中并连接到所述连接构件的所述重新分布层,其中,所述凸块下金属层包括:凸块下金属过孔,嵌在所述钝化层中并连接到所述连接构件的所述重新分布层;以及凸块下金属焊盘,连接到所述凸块下金属过孔,并从所述钝化层的表面突出,并且所述凸块下金属过孔的与所述凸块下金属焊盘接触的部分的宽度比所述凸块下金属过孔的与所述重新分布层接触的部分的宽度窄。
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