[发明专利]阵列基板及其制备方法、应用和性能改善方法有效
申请号: | 201810394256.3 | 申请日: | 2018-04-27 |
公开(公告)号: | CN108630663B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 刘政;赵梦;田宏伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/58 | 分类号: | H01L23/58;H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了阵列基板及其制备方法、应用和性能改善方法。该阵列基板包括:衬底基板;遮挡层,遮挡层设置于所述衬底基板的一个表面上;薄膜晶体管,薄膜晶体管设置于衬底基板上,并覆盖遮挡层;补偿层,补偿层设置于薄膜晶体管远离衬底基板的一侧,用于在薄膜晶体管中的有源层中形成第二电场。由此,通过改变薄膜晶体管内有源层的电场分布,补偿第一电场对薄膜晶体管特性的影响,以达到改善或消除输出特性曲线饱和区翘曲的异常现象的技术效果,保证电流正常输出,同时改善补偿由第一电场导致薄膜晶体管阈值电压产生变化的不良影响,解决阈值电压漂移等问题,使薄膜晶体管恢复到没有第一电场影响有源层的工作状态,甚至更优的水平。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 衬底基板 电场 阵列基板 遮挡层 源层 性能改善 补偿层 制备 薄膜晶体管阈值电压 输出特性曲线 阈值电压漂移 电场分布 电场影响 技术效果 异常现象 饱和区 翘曲 应用 输出 覆盖 恢复 保证 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底基板;遮挡层,所述遮挡层设置于所述衬底基板的一个表面上;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置于所述衬底基板上,并覆盖所述遮挡层;补偿层,所述补偿层设置于所述薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧,对所述补偿层施加电压,使其在所述薄膜晶体管中的有源层中形成第二电场,其中,所述补偿层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层在所述衬底基板上的正投影有重叠区域。
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