[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 201810393530.5 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108806753B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 山田和志 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/24;G11C5/06;G11C5/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;闫小龙 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及非易失性半导体存储装置。提供一种能够扩大偏移调整范围的上限来进行自由度高的偏移调整的非易失性半导体存储装置。具有：第一电位保持线，对从存储器单元读出的存储电位进行保持；第二电位保持线，对从存储器单元读出的参照电位进行保持；读出放大器，一端连接于第一电位保持线，并且，另一端连接于第二电位保持线，对由第一电位保持线保持的存储电位与由第二电位保持线保持的参照电位的电位差进行放大；电容元件，连接于第一电位保持线；第一可变电容装置，能够调整电容值，并且，经由电容元件连接于第一电位保持线；偏移指令信号供给部，将用于控制偏移量的偏移指令信号向第一可变电容装置供给；以及第二可变电容装置，能够调整电容值，并且，连接于第二电位保持线。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储装置，在读出在存储器单元中存储的存储电位之后，在所述存储器单元中进行参照电位的写入和读出，将从所述存储器单元读出的所述存储电位与所述参照电位比较，由此，进行数据的读出，所述非易失性半导体存储装置的特征在于，具有：第一电位保持线，对从所述存储器单元读出的所述存储电位进行保持；第二电位保持线，对从所述存储器单元读出的所述参照电位进行保持；读出放大器，一端连接于所述第一电位保持线，并且，另一端连接于所述第二电位保持线，对由所述第一电位保持线保持的所述存储电位与由所述第二电位保持线保持的所述参照电位的电位差进行放大；电容元件，连接于所述第一电位保持线；第一可变电容装置，能够调整电容值，并且，经由所述电容元件连接于所述第一电位保持线；偏移指令信号供给部，将用于控制偏移量的偏移指令信号向所述第一可变电容装置供给；以及第二可变电容装置，能够调整电容值，并且，连接于所述第二电位保持线。
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