[发明专利]一种多铁异质结及其制备方法在审
| 申请号： | 201810374202.0 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108598255A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 钟高阔;安峰;李奥林;谭锐;谢淑红;钟向丽;王金斌 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多铁异质结，从下至上依次包括钛酸锶衬底、钌酸锶底电极层、钛酸钡铁电层和四氧化三铁磁性纳米柱阵列。本发明以钛酸钡为铁电层，四氧化三铁为磁性纳米柱阵列，形成的多铁异质结具有优异的铁电、铁磁性能。其中，四氧化三铁不仅可以通过离子运动调控磁性能，并且可以作为翻转铁电极化时的电极，能够实现室温下稳定、可逆且非易失地利用电场控制磁化取向，有利于未来存储器和自旋电子器件的发展，为实现高密度和低功耗的超快数据存储及处理奠定基础。 | ||
| 搜索关键词： | 四氧化三铁 异质结 磁性纳米柱 铁电层 钛酸钡 自旋电子器件 存储器 磁化取向 底电极层 电场控制 离子运动 数据存储 铁磁性能 铁电极化 电极 翻转 磁性能 低功耗 钌酸锶 钛酸锶 可逆 衬底 铁电 制备 调控 | ||
【主权项】：
1.一种多铁异质结，从下至上依次包括钛酸锶衬底、钌酸锶底电极层、钛酸钡铁电层和四氧化三铁磁性纳米柱阵列。
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