[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

目的在于提供能够降低恢复电流的技术。半导体装置具有半导体衬底，半导体衬底具有第1主面以及第2主面，该半导体衬底被规定出配置有续流二极管的第1区域、配置有IGBT的第2区域、和在俯视观察时将第1区域以及第2区域包围的耐压保持区域。半导体衬底具有：阳极层，其配置于第1区域的第1主面，呈第1导电型；扩散层，其与阳极层相邻地配置于耐压保持区域的第1主面，呈第1导电型。与阳极层和扩散层之间的边界相比在阳极层侧的第1主面配置有第1沟槽。

主权项

1.一种半导体装置，其具有：半导体衬底，其具有第1主面以及第2主面，该半导体衬底被规定出配置有续流二极管的第1区域、配置有IGBT即绝缘栅型双极晶体管的第2区域、和在俯视观察时将所述第1区域以及所述第2区域包围的耐压保持区域；表面电极，其配置于所述第1区域、所述第2区域以及所述耐压保持区域的所述第1主面之上；以及背面电极，其配置于所述第1区域、所述第2区域以及所述耐压保持区域的所述第2主面之上，所述半导体衬底具有：阳极层，其配置于所述第1区域的所述第1主面，呈第1导电型；扩散层，其与所述阳极层相邻地配置于所述耐压保持区域的所述第1主面，呈所述第1导电型；以及阴极层，其配置于所述第1区域的所述第2主面，呈第2导电型，与所述阳极层和所述扩散层之间的边界相比在所述阳极层侧的所述第1主面配置有第1沟槽。