[发明专利]半导体装置的制作方法

摘要

在此揭露具有切割深度控制的半导体结构及其制作方法。在半导体装置的制作方法中，首先，形成从基材突伸出的鳍片。然后，成长源极/漏极元件于鳍片的两端。接着，沉积跨越鳍片并包围源极/漏极元件的层间介电层。被层间介电层所包围的金属栅极结构是形成于源极/漏极元件之间。接着，进行替换操作，以将层间介电层的一部分替换为隔离材料，而形成相邻于金属栅极结构且位于相邻源极/漏极元件之间的隔离部分。然后，进行金属栅极切割操作，以形成金属栅极结构中的开口和隔离部分中的开口，而绝缘材料是沉积于这些开口中。

主权项

1.一种半导体装置的制作方法，其特征在于，该制作方法包含：形成一第一鳍片与一第二鳍片，其中该第一鳍片与该第二鳍片分别从一基材突伸出；成长多个源极/漏极元件于该第一鳍片的两端和该第二鳍片的两端上；沉积一层间介电层，其中该层间介电层跨越该第一鳍片和该第二鳍片，并包围所述多个源极/漏极元件；形成一金属栅极结构，其中该金属栅极结构跨越该第一鳍片和该第二鳍片，并被该层间介电层所包围，且该金属栅极结构是形成于所述多个源极/漏极之间；进行一替换操作，以将该层间介电层的一部分替换为一隔离材料，而形成一隔离部分，其中该隔离部分接触该金属栅极结构的两侧的每一者，且该金属栅极结构是位于该第一鳍片与该第二鳍片之间；进行一金属栅极切割操作于一切割区域，而形成一第一开口于该金属栅极结构中与一第二开口于该隔离部分中，其中该切割区域是延伸穿过该金属栅极结构至该隔离部分，且相较于对该金属栅极结构，该金属栅极切割操作的一蚀刻剂对该隔离部分具有较低的一蚀刻选择率，以致于该第一开口的一第一深度是大于该第二开口的一第二深度；以及以一绝缘材料填充该第一开口与该第二开口。