[发明专利]相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法有效
| 申请号： | 201810364565.6 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108648782B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 闫帅;蔡道林;薛媛;宋志棠;陈一峰;卢瑶瑶;吴磊;刘源广;李阳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56;G06F30/33 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法，包括基于待测相变存储器，设定待优化脉冲、各待优化脉冲对应的预设操作条件及影响因子；其中，各待优化脉冲对应的预设操作条件的个数相同；基于各预设操作条件生成N组测试数据，以分别对待测相变存储器进行RESET操作和SET操作，并获取各测试数据对应的RESET分布电阻及SET分布电阻；分别对RESET分布电阻和影响因子及SET分布电阻和影响因子进行回归分析，获取RESET响应模型及SET响应模型；基于RESET响应模型及SET响应模型对各待优化脉冲的操作条件进行预测，获取最优脉冲操作条件。通过本发明解决了传统“试错法”存在费时、筛选结果不准确的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 最优 脉冲 操作 条件 筛选 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法，其特征在于，所述筛选方法包括：基于待测相变存储器，设定待优化脉冲及各所述待优化脉冲对应的预设操作条件，并基于各所述待优化脉冲，设定影响因子；其中，各所述待优化脉冲对应的所述预设操作条件的个数相同；基于各所述待优化脉冲对应的所述预设操作条件，生成N组测试数据，以分别对所述待测相变存储器中的若干存储单元进行RESET操作和SET操作，并获取各所述测试数据对应的RESET分布电阻的电阻值及SET分布电阻的电阻值；其中，N为大于等于1的正整数；分别对RESET分布电阻和影响因子、及SET分布电阻和影响因子进行回归分析，获取RESET响应模型及SET响应模型；以及基于所述RESET响应模型及所述SET响应模型，对各所述待优化脉冲的操作条件进行预测，获取使所述待测相变存储器实现RESET操作及SET操作的最优脉冲操作条件。
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