[发明专利]相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法有效

专利信息
申请号: 201810364565.6 申请日: 2018-04-23
公开(公告)号: CN108648782B 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 闫帅;蔡道林;薛媛;宋志棠;陈一峰;卢瑶瑶;吴磊;刘源广;李阳 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56;G06F30/33
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所 31233 代理人: 宋缨
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 相变 存储器 最优 脉冲 操作 条件 筛选 方法
【权利要求书】:

1.一种相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法,其特征在于,所述筛选方法包括:

基于待测相变存储器,设定待优化脉冲及各所述待优化脉冲对应的预设操作条件,并基于各所述待优化脉冲,设定影响因子;其中,各所述待优化脉冲对应的所述预设操作条件的个数相同;

基于各所述待优化脉冲对应的所述预设操作条件,生成N组测试数据,以分别对所述待测相变存储器中的若干存储单元进行RESET操作和SET操作,并获取各所述测试数据对应的RESET分布电阻的电阻值及SET分布电阻的电阻值;其中,N为大于等于1的正整数;

分别对RESET分布电阻和影响因子、及SET分布电阻和影响因子进行回归分析,获取RESET响应模型及SET响应模型;以及

基于所述RESET响应模型及所述SET响应模型,对各所述待优化脉冲的操作条件进行预测,获取使所述待测相变存储器实现RESET操作及SET操作的最优脉冲操作条件;

其中,所述待优化脉冲包括RESET电流脉冲高度、RESET电流脉冲宽度、SET电流脉冲高度及SET电流脉冲宽度;所述影响因子包括:RESET电流脉冲高度、RESET电流脉冲宽度、SET电流脉冲高度、SET电流脉冲宽度、RESET电流脉冲高度*RESET电流脉冲高度、RESET电流脉冲宽度*RESET电流脉冲宽度、SET电流脉冲高度*SET电流脉冲高度、SET电流脉冲宽度*SET电流脉冲宽度、RESET电流脉冲高度*RESET电流脉冲宽度、RESET电流脉冲高度*SET电流脉冲高度、RESET电流脉冲高度*SET电流脉冲宽度、RESET电流脉冲宽度*SET电流脉冲高度、RESET电流脉冲宽度*SET电流脉冲宽度及SET电流脉冲高度*SET电流脉冲宽度。

2.根据权利要求1所述的相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法,其特征在于,所述筛选方法基于JMP统计软件实现。

3.根据权利要求1所述的相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法,其特征在于,所述RESET分布电阻为均值电阻或中值电阻,所述SET分布电阻为均值电阻或中值电阻。

4.根据权利要求3所述的相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法,其特征在于,所述RESET分布电阻和所述SET分布电阻均为中值电阻。

5.根据权利要求1所述的相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法,其特征在于,对所述待测相变存储器进行RESET操作和SET操作之前,还包括:通过调节测试数据的组数N,对各所述待优化脉冲的预测方差进行优化的步骤;其中,组数N与各所述待优化脉冲的预测方差负相关。

6.根据权利要求1所述的相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法,其特征在于,获取RESET响应模型及SET响应模型的方法包括:分别通过最小二乘法对RESET分布电阻和影响因子、及SET分布电阻和影响因子进行回归分析,以获取RESET响应模型及SET响应模型。

7.根据权利要求6所述的相变存储器最优脉冲操作条件的筛选方法,其特征在于,获取RESET响应模型及SET响应模型后,还包括:通过假设检测法分别对RESET响应模型及SET响应模型中的影响因子进行显著性水平分析,以对RESET响应模型及SET响应模型进行优化。

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