[发明专利]一种可提高发光效率的LED外延结构及其生长方法

摘要

本发明公开了一种可提高发光效率的LED外延结构及其生长方法，在生长InGaN/GaN多量子阱有源层过程中，在InGaN量子阱层和与该InGaN量子阱层背离衬底一侧相邻的GaN量子垒层之间生长有插入层，通过插入层覆盖保护该InGaN量子阱层，能够提高后续生长GaN量子垒层时的生长温度，同时可以显著抑制InGaN量子阱层中In组分的析出，提高InGaN量子阱层和垒层界面的平整度；并且，插入层可以作为InGaN量子阱层和GaN量子垒层之间的一层应力补偿层，抵消InGaN量子阱层和GaN量子垒层之间产生的压应力，进而降低缺陷的形成，提高有源区的辐射复合效率，进而提高LED的发光效率。

主权项

1.一种可提高发光效率的LED外延结构的生长方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层和N型电子注入层；在所述N型电子注入层上生长InGaN/GaN多量子阱有源层，所述InGaN/GaN多量子阱有源层包括周期生长的InGaN量子阱层和GaN量子垒层，且位于所述InGaN量子阱层和与其背离所述衬底一侧的相邻的GaN量子垒层之间生长有插入层；在所述InGaN/GaN多量子阱有源层上依次生长电子阻挡层、P型空穴注入层和欧姆接触层。