[发明专利]3D NAND存储器及其制造方法

摘要

本申请公开了一种3D NAND存储器及其制造方法。该存储器中的沟道层由能够稳定生长的二维材料形成。因二维材料具有更高的电子迁移率，因此，由二维材料作为沟道层材料制成的3D NAND存储器，能够实现3D NAND存储器更好的电学性能。此外，由于二维材料具有更高的载流子迁移率和速度，3D NAND存储器可以具有更好的读写效率。而且，因二维材料的薄膜厚度可达到原子级薄膜厚度，非常有利于3D NAND存储器的沟道孔的直径以及沟道孔间距的减小，从而有利于提高3D NAND存储器的存储密度。

主权项

1.一种3D NAND存储器，其特征在于，包括：衬底；设置于所述衬底上的氧化硅层和金属栅层交替层叠结构；以及贯穿所述氧化硅层和金属栅层交替层叠结构的沟道孔；其中，所述沟道孔的底部设置有外延结构，所述外延结构的上表面超过最底层金属栅层上表面；所述沟道孔的侧壁上依次设置有阻挡层、电荷俘获层、遂穿层和沟道层，所述沟道层由能够稳定生长的二维材料形成；所述沟道孔内还包括填充在沟道孔间隙内的填充层。