[发明专利]半纵向型欧姆接触电极及其制作方法在审
| 申请号： | 201810320840.4 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108682687A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 黄火林;孙仲豪 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/45;H01L21/28 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 李猛 |
| 地址： | 116023 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种半纵向型欧姆接触电极及其制作方法，属于半导体器件制作领域。技术要点是：包括半导体和金属电极，所述金属电极制作在所述半导体上，所述金属电极在纵向上呈台阶型。有益效果是:本发明所述的半纵向型欧姆接触电极及其制作方法增加了金属与半导体之间的有效接触面积，与传统平面欧姆接触结构相比，在相同器件设计体积中，允许导通电流量增大，电极阻值减小；同时，纵向电极部分将对半导体体内电场强度有调制作用，电场强度集中点被分割成两个或多个部分，边缘电场集中效应减弱，有利于器件在大电流、电压条件下工作而不会过早发生电流击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆接触电极 半导体 金属电极 制作 有效接触面积 半导体器件 边缘电场 传统平面 电流击穿 电压条件 技术要点 流量增大 欧姆接触 器件设计 效应减弱 纵向电极 电极 大电流 台阶型 减小 调制 通电 体内 金属 分割 | ||
【主权项】：
1.一种半纵向型欧姆接触电极，其特征在于，包括半导体和金属电极，所述金属电极制作在所述半导体上，所述金属电极在纵向剖面上呈台阶型。
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