[发明专利]半导体装置、电子设备及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201810320586.8 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108878538A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 工藤学 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 苏萌萌;权太白 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种即使设置栅电极等金属膜也会使基板的翘曲得到抑制的半导体装置、电子设备及半导体装置的制造方法。半导体装置(1)具备：基板(3)；薄膜晶体管(2)；以及绝缘膜(7)，其位于基板(3)与薄膜晶体管(2)之间，绝缘膜(7)具有第一氧化硅膜(4)、被形成在第一氧化硅膜(4)上的氮化硅膜(5)以及被形成在氮化硅膜(5)上的第二氧化硅膜(6)，第一氧化硅膜(4)的氮浓度与第二氧化硅膜(6)的氮浓度相比而较低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 氧化硅膜 基板 薄膜晶体管 二氧化硅膜 氮化硅膜 电子设备 绝缘膜 金属膜 栅电极 翘曲 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：基板；薄膜晶体管；以及绝缘膜，其位于所述基板与所述薄膜晶体管之间，所述绝缘膜具有第一氧化硅膜、被形成在所述第一氧化硅膜上的氮化硅膜以及被形成在所述氮化硅膜上的第二氧化硅膜，所述第一氧化硅膜的氮浓度与所述第二氧化硅膜的氮浓度相比而较低。
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