[发明专利]柔性衬底上的InGaAs基MOS电容器及制作方法在审
| 申请号： | 201810319831.3 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108538926A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 刘琛;吕红亮;余维健;张玉明;张义门 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种柔性衬底上的InGaAs基MOS电容器及制作方法，主要为了解决传统Ⅲ‑V材料的器件只能应用于硬质平面环境，无法应用于柔性环境的问题。其自下而上包括衬底(1)、阴极金属电极(2)、半导体功能薄膜层(3)、氧化层(4)和阳极金属电极(5)，其中衬底采用柔性衬底；半导体薄膜层采用由InGaAs、GaAs和InGaAs三层薄膜层构成力学平衡结构功能层。本发明在具有工作频率高的同时，具有良好的延展和弯曲性，可用于包括柔性显示器、柔性电子标签、人工肌肉及生物信号传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 薄膜层 生物信号传感器 半导体薄膜层 阳极金属电极 阴极金属电极 半导体功能 柔性显示器 工作频率 结构功能 力学平衡 人工肌肉 柔性电子 柔性环境 硬质平面 弯曲性 氧化层 可用 三层 延展 制作 应用 标签 | ||
【主权项】：
1.一种柔性衬底上的InGaAs基MOS电容器，自下而上包括衬底(1)、阴极金属电极(2)、半导体薄膜层(3)、氧化层(4)和阳极金属电极(5)，其特征在于：衬底(1)，采用方形柔性衬底；半导体薄膜层(3)，采用由InGaAs、GaAs和InGaAs三层薄膜层叠加构成，以保证器件的延展性和弯曲性。
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