[发明专利]一种联硼化合物表面修饰钙钛矿薄膜的方法及其应用有效
申请号: | 201810318811.4 | 申请日: | 2018-04-11 |
公开(公告)号: | CN108461635B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 朱瑞;涂用广;杨晓宇;龚旗煌 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/48 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人: | 李稚婷 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公布了一种联硼化合物表面修饰钙钛矿薄膜的方法及其应用,通过引入硼元素有效地钝化钙钛矿薄膜中未配位的碘离子,降低缺陷态密度,提高钙钛矿薄膜的光电性能,进而实现高效稳定的钙钛矿太阳能电池器件。经联硼化合物修饰钙钛矿吸光层的太阳能电池器件获得了较高的光电转换效率,制备方法简便且生产周期较短,同时具有良好的稳定性。 | ||
搜索关键词: | 钙钛矿薄膜 硼化合物 太阳能电池器件 表面修饰 钙钛矿 光电转换效率 生产周期 缺陷态密度 光电性能 碘离子 硼元素 吸光层 有效地 钝化 配位 修饰 制备 应用 引入 | ||
【主权项】:
1.一种对钙钛矿薄膜进行表面修饰的方法,将含有B‑B键的联硼化合物溶液负载在钙钛矿薄膜表面,然后于50‑100℃退火处理,得到联硼化合物修饰的钙钛矿薄膜,其中所述联硼化合物的化学通式为B2(XY)4,其中X是N、O或Si,Y代表Hp或CmHn,m、n、p为正整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810318811.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种双色有机光电探测器
- 下一篇:一种阴极界面修饰钙钛矿太阳能电池的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择