[发明专利]一种联硼化合物表面修饰钙钛矿薄膜的方法及其应用有效

专利信息
申请号: 201810318811.4 申请日: 2018-04-11
公开(公告)号: CN108461635B 公开(公告)日: 2019-09-13
发明(设计)人: 朱瑞;涂用广;杨晓宇;龚旗煌 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 代理人: 李稚婷
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公布了一种联硼化合物表面修饰钙钛矿薄膜的方法及其应用,通过引入硼元素有效地钝化钙钛矿薄膜中未配位的碘离子,降低缺陷态密度,提高钙钛矿薄膜的光电性能,进而实现高效稳定的钙钛矿太阳能电池器件。经联硼化合物修饰钙钛矿吸光层的太阳能电池器件获得了较高的光电转换效率,制备方法简便且生产周期较短,同时具有良好的稳定性。
搜索关键词: 钙钛矿薄膜 硼化合物 太阳能电池器件 表面修饰 钙钛矿 光电转换效率 生产周期 缺陷态密度 光电性能 碘离子 硼元素 吸光层 有效地 钝化 配位 修饰 制备 应用 引入
【主权项】:
1.一种对钙钛矿薄膜进行表面修饰的方法,将含有B‑B键的联硼化合物溶液负载在钙钛矿薄膜表面,然后于50‑100℃退火处理,得到联硼化合物修饰的钙钛矿薄膜,其中所述联硼化合物的化学通式为B2(XY)4,其中X是N、O或Si,Y代表Hp或CmHn,m、n、p为正整数。
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