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[发明专利]一种磷化铟-钙钛矿四端叠层太阳能电池及其制备方法-CN202211477526.X在审
发明人： 涂用广;周斌;屈铎;董书新 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10K39/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟‑钙钛矿四端叠层太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。包括：耐太空中高能粒子和射线辐照且吸收部分太阳光的半透明的第一太阳能电池单元，以及能够完全吸收透过第一太阳能电池余下太阳光的第二太阳能电池单元；采用第一导电电极层、第一传输层、磷化铟层、第二传输层和第二导电电极层形成磷化铟太阳能电池，具有优异的抗辐射性能，使用第三导电电极层、第三传输层、钙钛矿层、第四传输层和第四导电电极层形成钙钛矿太阳能电池，具有较高的光电转换效率，可以有效保证器件在高能辐射下的稳定输出，同时提高了太阳能电池的光电转换效率，进而拓展钙钛矿太阳能电池作为空间光伏技术的应用，克服现有技术的不足。
一种磷化钙钛矿四端太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于反溶液浴的钙钛矿薄膜制备方法及太阳能电池-CN201910082871.5有效
发明人：朱瑞;张翼飞;涂用广;杨晓宇;龚旗煌 -专利权人：北京大学
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公布了一种基于反溶液浴的钙钛矿薄膜制备方法及太阳能电池。通过在反溶剂中加入适当的溶质以配制具有不同功能的反溶液，实现了钙钛矿薄膜的结晶控制和形貌调控，同时钝化了钙钛矿薄膜与载流子传输层的界面，减少了表面缺陷态和界面复合，提高了界面处的载流子浓度和抽取效率，更有利于载流子的传输。通过反溶液浴法制备的钙钛矿太阳能电池，具有较高的光电转换效率和良好的稳定性。该制备方法简便且生产周期较短，可控性和重复性强，在大面积、规模化的钙钛矿太阳能电池的生产制备中极具应用前景。
一种基于溶液钙钛矿薄膜制备方法太阳能电池

[发明专利]基于联硼化合物修饰的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法-CN201810318916.X有效
发明人：朱瑞;杨晓宇;涂用广;龚旗煌 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公布了一种基于联硼化合物修饰的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法，包括平面型和介孔型两种结构，其中作为电子传输层的金属氧化物致密层或介孔层被联硼化合物修饰，从而改变了金属氧化物表面金属离子价态，实现了表面N型掺杂，提高了载流子浓度；同时也起到了钝化的作用，进一步改善了金属氧化物薄膜形貌。通过联硼化修饰电子传输层的钙钛矿太阳能电池具有较高的光电转换效率和良好的光稳定性。
修饰太阳能电池硼化合物电子传输层钙钛矿型制备载流子金属氧化物薄膜金属氧化物表面形貌光电转换效率金属离子价态金属氧化物光稳定性钙钛矿平面型致密层钝化介孔孔型硼化

[发明专利]一种钙钛矿半导体的光电化学池-CN201910521344.X在审
发明人：朱瑞;涂用广;杨晓宇;罗德映;龚旗煌 -专利权人：北京大学
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H01M14/00 文献下载
摘要：本发明公布了一种钙钛矿半导体的光电化学池。这种光电化学池包括液态或准固态的电解质，以及插入电解质中的光阳极和光阴极，其中所述光阳极为透明电极，其上沉积有钙钛矿半导体薄膜。通过开发含有离子化合物的液态或准固态电解质，实现钙钛矿半导体材料在液态或准固态电解质中的稳定存在，从而通过光电化学反应实现将太阳能转化为电能的目的，获得稳定工作的光电化学池。本发明提供的光电化学池制备方法简单、设备要求低。
光电化学池钙钛矿准固态电解质电解质半导体半导体材料化学反应半导体薄膜离子化合物太阳能转化设备要求透明电极光阳极光阴极准固态沉积制备开发

[发明专利]一种联硼化合物表面修饰钙钛矿薄膜的方法及其应用-CN201810318811.4有效
发明人：朱瑞;涂用广;杨晓宇;龚旗煌 -专利权人：北京大学
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公布了一种联硼化合物表面修饰钙钛矿薄膜的方法及其应用，通过引入硼元素有效地钝化钙钛矿薄膜中未配位的碘离子，降低缺陷态密度，提高钙钛矿薄膜的光电性能，进而实现高效稳定的钙钛矿太阳能电池器件。经联硼化合物修饰钙钛矿吸光层的太阳能电池器件获得了较高的光电转换效率，制备方法简便且生产周期较短，同时具有良好的稳定性。
钙钛矿薄膜硼化合物太阳能电池器件表面修饰钙钛矿光电转换效率生产周期缺陷态密度光电性能碘离子硼元素吸光层有效地钝化配位修饰制备应用引入

[发明专利]一种三步旋涂制备钙钛矿薄膜的方法及其应用-CN201610879578.8在审
发明人：吴季怀;涂用广;何欣;郭攀峰 -专利权人：华侨大学
申请日： 2016-10-09 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种三步旋涂制备钙钛矿薄膜的方法及其应用。方法包括如下步骤首先在二氧化钛介孔薄膜上旋涂卤化铅溶液；随后将异丙醇负载在湿的卤化铅薄膜上，静置0～150s，然后进行第二次旋涂，获得介孔卤化铅薄膜；接着将有机胺盐的异丙醇溶液负载在介孔卤化铅薄膜上，静置40s，进行第三次旋涂；退火处理。获得的钙钛矿薄膜均匀光滑，无卤化铅残留。采用FTO/TiO2致密层/TiO2介孔层/钙钛矿层/空穴传输层/金的电池结构组装钙钛矿太阳能电池，组装的钙钛矿太阳能电池器件短路电流、开路电压、填充因子均比现有技术中的两步旋涂法高，最终实现了高能量转化效率、器件重复性好的钙钛矿太阳能电池。
一种三步旋涂制备钙钛矿薄膜方法及其应用

[发明专利]一维TiO2纳米棒阻挡层的制备方法及其应用-CN201610969700.0在审
发明人：吴季怀;何欣;涂用广;谢奕明;兰章 -专利权人：华侨大学
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种一维TiO2纳米棒阻挡层的制备方法及其应用，包括如下步骤(1)配制TiO2纳米棒悬涂液(2)将上述TiO2纳米棒悬涂液通过匀胶机在导电玻璃基底上悬涂制作厚度为20～200nm的一维TiO2纳米棒阻挡层，上述匀胶机的转速调控为加载速度550～650rsp/min加载为5～7s，高速转速为1000～6000rsp，悬涂时间为25～35s，加速度均为2200～2700rsp/min。操作简单、设备要求低，制得的纳米棒阻挡层的电子寿命长传输速度快，不仅保证了钙钛矿电池较高的效率而且能够有效降低电池迟滞效应。
tio2 纳米阻挡制备方法及其应用