[发明专利]一种联硼化合物表面修饰钙钛矿薄膜的方法及其应用

权利要求书

1.一种对钙钛矿薄膜进行表面修饰的方法，将含有B-B键的联硼化合物溶液负载在钙钛矿薄膜表面，然后于50-100℃退火处理，得到联硼化合物修饰的钙钛矿薄膜，其中所述联硼化合物的化学通式为B₂(XY)₄，其中X是N、O或Si，Y代表H_p或C_mH_n，m、n、p为正整数。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述联硼化合物选自下列含有B-B键的化合物中的一种或多种：C₁₂H₂₄B₂O₄、C₁₀H₂₀B₂O₄、C₁₂H₈B₂O₄、B₂(OH)₄和C₈H₂₄B₂N₄。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将联硼化合物溶解于有机溶剂中配制成联硼化合物溶液，在无氧气氛下，将联硼化合物溶液涂敷到钙钛矿薄膜表面，然后于50～100℃退火处理。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述联硼化合物溶液的浓度为0.5～20mg/mL；退火处理时间为5～30min。

5.一种钙钛矿太阳能电池，包括透明衬底，以及在该衬底上依次层叠的透明电极、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和顶电极，其特征在于，所述钙钛矿吸光层与空穴传输层接触的界面被联硼化合物修饰，所述联硼化合物的化学通式为B₂(XY)₄，其中X是N、O或Si，Y代表H_p或C_mH_n，m、n、p为正整数。

6.如权利要求5所述的钙钛矿太阳能电池，其特征在于，所述联硼化合物选自下列含有B-B键的化合物中的一种或多种：C₁₂H₂₄B₂O₄、C₁₀H₂₀B₂O₄、C₁₂H₈B₂O₄、B₂(OH)₄和C₈H₂₄B₂N₄。

7.权利要求5或6所述钙钛矿太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：

1)提供透明衬底及透明电极；

2)在透明电极上制备电子传输层；

3)在电子传输层上制备钙钛矿吸光层，并对钙钛矿吸光层表面进行联硼化合物修饰；

4)在联硼化合物修饰过的钙钛矿吸光层上制备空穴传输层；

5)在空穴传输层上制备顶电极。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，步骤3)对钙钛矿吸光层进行联硼化合物界面修饰的方法为：在无氧气氛下，将含有B-B键的联硼化合物溶液负载在钙钛矿吸光层表面；转移至加热台50～100℃退火处理，得到联硼化合物修饰的钙钛矿吸光层。