[发明专利]提取SOI衬底寄生电容的方法有效
| 申请号： | 201810313028.9 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108538819B | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 曹云 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/02 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提取SOI衬底寄生电容的方法，提供前端结构，包括衬底及间隔位于所述衬底上方的功能层；将所述功能层进行投影到所述衬底上；获取所述功能层投影到所述衬底的区域；以及根据所述区域计算电容。目前所使用工具对寄生电容参数的提取与实测值存在较大差异，进而会影响后续电路设计时的精确性，本发明所提供的方法，通过将功能层投影到衬底上，计算投影到衬底上的区域的电容值，该方法消除了现有寄生电容提取工具存在的缺陷，提取的寄生电容参数与实测值近似相等，使得电路设计，寄生参数的提取，仿真整个设计流程更流畅。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 功能层 投影 寄生电容 电容 实测 寄生电容提取 电路设计 后续电路 寄生参数 近似相等 前端结构 区域计算 | ||
【主权项】：
1.一种提取SOI衬底寄生电容的方法，其特征在于，包括，/n提供前端结构，包括衬底及间隔位于所述衬底上方的功能层，所述功能层为金属层或多晶硅层；/n将所述功能层进行投影到所述衬底上；/n获取所述功能层投影到所述衬底的区域；以及/n根据所述区域计算电容，将所述金属层或多晶硅层的投影和位于所述区域的所述衬底作为所述寄生电容的上下极板，计算所述电容；/n其中，所述金属层包括金属线，所述区域为所述金属线正投影到所述衬底上的部分，所述多晶硅层包括多晶硅线，所述区域为所述多晶硅线作为引线时正投影到所述衬底的部分，所述多晶硅线作为引线为所述多晶硅线非有源区的部分；/n计算所述电容包括获取所述金属线或所述多晶硅线作为引线时投影到所述衬底上的部分对于所述衬底的面积；/n所述金属线或所述多晶硅线为长方体形状，将所述金属线或所述多晶硅线的侧边展开；计算所述金属线或所述多晶硅线的侧边展开后的金属线或多晶硅线的面积；/n所述电容的计算公式为C＝((W*L+2T*L+2T*W)*1E
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